Указ Президента РФ от 17.12.2011 № 1661 "Об утверждении списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль"

Системы, оборудование и компоненты

Компоненты, изготовленные из фторированных соединений:

--------------------------------

<*> См. общее примечание к настоящему Списку.

<**> Здесь и далее код ТН ВЭД - код единой Товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности Евразийского экономического союза.

(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Уплотнения, прокладки, уплотнительные материалы или топливные диафрагмы, специально разработанные для использования в летательных или аэрокосмических аппаратах и изготовленные из материалов, содержащих более 50% (по весу) любого материала, определенного в пункте 1.3.9.2 или 1.3.9.3;

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Исключены. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159

Конструкции из следующих композиционных материалов объемной или слоистой структуры:

(п. 1.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Состоящие из любых следующих материалов:

а) органической матрицы и волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10.3 или 1.3.10.4; или

б) препрегов и преформ, определенных в пункте 1.3.10.5;

(п. 1.1.2.1 в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Состоящие из металлической или углеродной матрицы и любого из следующего:

Углеродных волокнистых или углеродных нитевидных материалов, имеющих все следующие характеристики:

а) удельный модуль упругости, превышающий 10,15 x 106 м; и

б) удельную прочность при растяжении, превышающую 17,7 x 104 м; или

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Материалов, определенных в пункте 1.3.10.3

Примечания:

1. Пункт 1.1.2 не применяется к элементам конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, изготовленным из пропитанных эпоксидной смолой углеродных волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:

а) площадь, не превышающую 1 м2;

б) длину, не превышающую 2,5 м; и

в) ширину более 15 мм.

2. Пункт 1.1.2 не применяется к частично изготовленным конструкциям, специально разработанным для следующего только гражданского использования:

а) в спортивных товарах;

б) в автомобильной промышленности;

в) в станкостроительной промышленности;

г) в медицинских целях.

3. Пункт 1.1.2 не применяется к полностью изготовленным товарам (конструкциям), специально разработанным для конкретного использования

Особое примечание.

В отношении конструкций из композиционных материалов, указанных в пунктах 1.1.2 - 1.1.2.2.2, см. также пункт 1.1.1 раздела 2 и пункт 1.1.1 раздела 3

(особое примечание в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Изделия из неплавких ароматических полиимидов в виде пленки, листа, ленты или полосы, имеющие любую из следующих характеристик:

а) толщину более 0,254 мм; или

б) покрытие или ламинирование углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Примечание.

Пункт 1.1.3 не применяется к изделиям, покрытым или ламинированным медью и разработанным для производства электронных печатных плат

Особое примечание.

Для плавких ароматических полиимидов в любом виде см. пункт 1.3.8.1.3

Защитное снаряжение, аппаратура систем обнаружения и комплектующие изделия, не специально разработанные для военного применения:

Противогазы, фильтрующие коробки противогазов и оборудование для их обеззараживания, разработанные либо модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты:

а) бактериологических (биологических) агентов;

б) радиоактивных материалов;

в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии; или

г) химических средств для борьбы с массовыми беспорядками, включающих:

[(2-хлорфенил) метилен] пропандинитрил (о-хлорбензальмалононитрил) (CS) (CAS 2698-41-1);

2-хлор-1-фенил-этанон, хлористый фенацил (

дибенз-(b, f)-1,4-оксазепин (CR) (CAS 257-07-8);

10-хлор-5,10-дигидрофенарсазин, (хлористый фенарсазин), (адамсит) (DM) (CAS 578-94-9);

N-нонилморфолин (MPA) (CAS 5299-64-9)

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

Примечание.

Пункт 1.1.4.1 включает противогазы с принудительной подачей воздуха, разработанные или модифицированные для защиты от поражающих факторов, перечисленных в пункте 1.1.4.1

(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.1.4.1:

а) противогазами также называются полнолицевые маски;

б) фильтрующие коробки противогазов также включают фильтрующие картриджи;

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Защитные костюмы, перчатки и обувь, специально разработанные или модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов:

а) бактериологических (биологических) агентов;

б) радиоактивных материалов; или

в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии;

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

Системы, специально разработанные или модифицированные для обнаружения или распознавания любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты:

а) бактериологических (биологических) агентов;

б) радиоактивных материалов; или

в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

Электронное оборудование и его компоненты, разработанные для автоматического обнаружения или распознавания наличия следов взрывчатых веществ (ВВ) с использованием методов их обнаружения (например, поверхностной акустической волны, спектрометрии подвижных ионов, в том числе с дифференциальной подвижностью, масс-спектрометрии)

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Техническое примечание.

Под обнаружением следов понимается обнаружение менее миллионной части испарения или 1 мг твердого вещества или жидкости

Примечание.

Пункт 1.1.4.4 не применяется:

а) к оборудованию, специально разработанному для лабораторного использования;

б) к пропускным порталам безопасности для бесконтактного контроля

Примечание.

Пункт 1.1.4 не применяется:

а) к персональным радиационным дозиметрам;

б) к снаряжению или системам, применяемым в системе стандартов безопасности труда, конструктивно или функционально ограниченным защитой от факторов риска в целях обеспечения безопасности в гражданской области, например:

в горном деле;

при работе в карьерах;

в сельском хозяйстве;

в фармацевтической промышленности;

в медицинской промышленности;

в ветеринарии;

при работах по охране окружающей среды;

при сборе и утилизации отходов;

в пищевой промышленности

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Технические примечания:

1. Пункт 1.1.4 включает снаряжение, системы и их компоненты, которые были сертифицированы, либо их работоспособность в отношении обнаружения или защиты от радиоактивных материалов, бактериологических (биологических) агентов, токсичных химикатов, используемых в химическом оружии, имитирующих продуктов (заменителей) или химических средств для борьбы с массовыми беспорядками была подтверждена испытаниями, проведенными в соответствии с национальными стандартами, или иным способом, даже если такие системы, снаряжение или их компоненты используются в гражданских областях, таких как горное дело, работы в карьерах, сельское хозяйство, фармацевтическая и медицинская промышленность, ветеринария, охрана окружающей среды, сбор и утилизация отходов или пищевая промышленность.

2. Имитирующие продукты (заменители) - вещества или материалы, которые используются вместо токсичных веществ (химических или биологических) для обучения, исследования, опробования или оценки.

3. Исключен. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714

4. Для целей пункта 1.1.4 радиоактивными материалами являются радиоизотопы, выделенные или модифицированные для нанесения вреда человеку или животным, выведения из строя оборудования, нанесения ущерба урожаю или окружающей среде

(в ред. Указов Президента РФ от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

Бронежилеты и компоненты для них:

Бронежилеты, изготовленные не по военным стандартам или техническим условиям или неравноценные им по характеристикам, и специально разработанные для них компоненты, в том числе (включая) гибкие защитные элементы;

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Примечания:

1. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, которые вывозятся пользователем для собственной индивидуальной защиты.

2. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, разработанным для обеспечения только фронтальной защиты как от осколков, так и от взрыва невоенных взрывных устройств.

3. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, разработанным для защиты только от колюще-режущих или тупых предметов

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Особое примечание.

Для нитевидных и волокнистых материалов, используемых в производстве бронежилетов, см. пункт 1.3.10

Оборудование, специально разработанное или модифицированное для обезвреживания самодельных взрывных устройств, приведенное ниже, а также специально разработанные компоненты и принадлежности для него:

Дистанционно управляемые транспортные средства;

Подрыватели (разрушители)

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Примечание.

Пункт 1.1.6 не применяется к оборудованию, которое не является предметом передачи или обмена и сопровождается его оператором

Оборудование и устройства, специально разработанные для инициации зарядов и устройств, содержащих энергетические материалы, воздействием электричества:

Запускающие устройства (запальные системы), разработанные для приведения в действие детонаторов взрывчатого вещества, определенных в пункте 1.1.7.2;

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Электродетонаторы взрывчатого вещества, такие как:

Детонаторы со взрывающимся мостиком (ВМ) (искровые детонаторы);

Детонаторы со взрывающейся перемычкой из провода (токовые детонаторы);

Детонаторы с ударником (пробойником) (детонаторы ударного действия);

Инициаторы со взрывающейся фольгой

Технические примечания:

1. Понятие "детонатор" также включает понятие "инициатор" или "зажигатель".

2. Для целей пункта 1.1.7.2 во всех описанных в нем детонаторах используется небольшой электрический проводник (мостик, перемычка из провода или фольга), который испаряется со взрывом, вызванным прохождением через него короткого сильноточного электрического импульса. В детонаторах безударного действия взрывающийся проводник инициирует химическую детонацию в контактирующем с ним бризантном взрывчатом веществе, таком как ТЭН (PETN) - тетранитропентаэритрит. В детонаторах ударного действия (типа "Слэппер") вызванное взрывом испарение электрического проводника приводит в действие боек или пробойник, который воздействует на взрывчатое вещество и инициирует химическую детонацию. В некоторых конструкциях ударник приводится в движение силой магнитного поля. Термин "инициатор со взрывающейся фольгой" может относиться как к ВМ, так и к детонатору ударного действия (типа "Слэппер")

Заряды, устройства и компоненты:

Кумулятивные заряды, имеющие все нижеперечисленные характеристики:

а) количество нетто ВВ (КНВ) более 90 г; и

б) внешний диаметр оболочки, равный или больше 75 мм;

Кумулятивные линейные заряды для резки, имеющие все нижеперечисленные характеристики, и специально разработанные для них компоненты:

а) заряд ВВ более 40 г/м; и

б) ширину, равную или больше 10 мм;

Шнур детонирующий с внутренним зарядом ВВ более 64 г/м;

Резаки, отличные от определенных в пункте 1.1.8.2, и другие отрезные средства, имеющие КНВ более 3,5 кг

Техническое примечание.

Кумулятивные заряды - устройства, концентрирующие действие ВВ в процессе его взрыва

Примечание.

К зарядам и устройствам, определенным в пункте 1.1.8, относятся только те заряды, которые содержат ВВ, перечисленные в таблице к этому пункту, и их смеси

Аминодинитробензофуроксан (ADNBF; 7-амино-4,6-динитробензофуразан-1-оксид) (CAS 97096-78-1)

Цис-бис(5-тетранитразолато) тетраамин-кобальт (III) перхлорат (BNCP) (CAS 117412-28-9)

Диаминодинитробензофуроксан (CL-14; 5,7-диамино-4,6-динитробензофуразан-1-оксид) (CAS 117907-74-1)

Гексанитрогексаазаизовюрцитан (CL-20; HNIW) (CAS 135285-90-4); клатраты (соединения/включения) вещества CL-20

2-(5-цианотетразолато)пентаамин-кобальт (III) перхлорат (CP) (CAS 70247-32-4)

1,1-диамино-2,2-динитроэтилен (DADE; FOX7) (CAS 145250-81-3)

Диаминотринитробензол (DATB) (CAS 1630-08-6)

1,4-динитродифуразанопиперазин (DDFP)

2,6-диамино-3,5-динитропиразин-1-оксид (DDPO; PZO) (CAS 194486-77-6)

3,3&apos;-диамино-2,2&apos;,4,4&apos;,6,6&apos;-гексанитробифенил (DIPAM; дипикрамид) (CAS 17215-44-0)

Динитрогликольурил (DNGU; DINGU) (CAS 55510-04-8)

Фуразаны:

а) диаминоазоксифуразан (DAAOF);

б) диаминоазофуразан (DAAzF) (CAS 78644-90-3)

Октоген (HMX) и его производные:

а) циклотетраметилентетранитрамин (HMX; октоген; октагидро-1,3,5,7-тетранитро-1,3,5,7-тетразин; 1,3,5,7-тетранитро-1,3,5,7-тетразациклооктан) (CAS 2691-41-0);

б) дифтораминированные аналоги октогена;

в) 2,4,6,8-тетранитро-2,4,6,8-тетраазабицикло [3,3,0]-октанон-3 (тетранитросемигликольурил; кето-бициклический октоген; K-55) (CAS 130256-72-3)

Гексанитроадамантан (HNAD) (CAS 143850-71-9)

Гексанитростильбен (HNS) (CAS 20062-22-0)

Имидазолы:

а) октагидро-2,5-бис(нитроимино)имидазо [4,5-d]имидазол (BNNII);

б) 2,4-динитроимидазол (DNI) (CAS 5213-49-0);

в) 1-фтор-2,4-динитроимидазол (FDIA);

г) N-(2-нитротриазоло)-2,4-динитроимидазол (NTDNIA);

д) 1-пикрил-2,4,5-тринитроимидазол (PTIA)

1-(2-нитротриазоло)-2-динитрометиленгидразин (NTNMH)

3-нитро-1,2,4-триазол-5-он (NTO; ONTA) (CAS 932-64-9)

Полинитрокубаны с числом нитрогрупп более четырех

2,6-бис(пикриламино)-3,5-динитропиридин (PYX) (CAS 38082-89-2)

Гексоген (RDH) и его производные:

а) циклотриметилентринитрамин (гексоген; RDX; циклонит; T4; гексагидро-1,3,5-тринитро-1,3,5-триазин; 1,3,5-тринитро-1,3,5-триазациклогексан) (CAS 121-82-4);

б) кето-гексоген (Keto-RDX; K-6; 2,4,6-тринитро-2,4,6-триазациклогексанон) (CAS 115029-35-1)

Триаминогуанидиннитрат (TAGN) (CAS 4000-16-2)

Триаминотринитробензол (TATB) (CAS 3058-38-6)

3,3,7,7-тетрабис(дифторамин) октагидро-1,5-динитро-1,5-диазоцин (TEDDZ)

Тетразолы:

а) нитротриазоламинотетразол (NTAT);

б) 1-N-(2-нитротриазоло)-4-нитротетразол (NTNT)

Тринитрофенилметилнитрамин (тетрил) (CAS 479-45-8)

1,4,5,8-тетранитро-1,4,5,8-тетраазадекалин (TNAD) (CAS 135877-16-6)

1,3,3-тринитроазетидин (TNAZ) (CAS 97645-24-4)

Тетранитрогликольурил (TNGU; SORGUYL) (CAS 55510-03-7)

1,4,5,8-тетранитропиридазино[4,5-d]пиридазин (TNP) (CAS 229176-04-9)

Триазины:

а) 2-окси-4,6-динитроамино-S-триазин (DNAM) (CAS 19899-80-0);

б) 2-нитроимино-5-нитро-гексагидро-1,3,5-триазин (NNHT) (CAS 130400-13-4)

Триазолы:

а) 5-азидо-2-нитротриазол;

б) 4-амино-3,5-дигидразино-1,2,4-триазол динитрамид (ADHTDN) (CAS 1614-08-0);

в) 1-амино-3,5-динитро-1,2,4-триазол (ADNT);

г) бис(динитротриазол)амин) (BDNTA);

д) 3,3&apos;-динитро-5,5-би-1,2,4-триазол (DBT) (CAS 30003-46-4);

е) динитробистриазол (DNBT) (CAS 70890-46-9);

ж) исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519;

з) 1-N-(2-нитротриазоло) 3,5-динитротриазол (NTDNT);

и) 1-пикрил-3,5-динитротриазол (PDNT);

к) тетранитробензотриазолобензотриазол (TACOT) (CAS 25243-36-1)

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

ВВ, не поименованные в настоящем перечне, имеющие при максимальной плотности скорость детонации более 8700 м/с или давление детонации более 34 ГПа (340 кбар)

Исключен. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519

Нитроцеллюлоза с содержанием азота более 12,5% (CAS 9004-70-0)

Нитрогликоль (CAS 628-96-6)

Тетранитропентаэритрит (пентаэритриттетранитрат; пентаэритритолтетранитрат; ТЭН; PETN) (CAS 78-11-5)

Пикрилхлорид (CAS 88-88-0)

2,4,6-тринитротолуол (TNT) (CAS 118-96-7)

Нитроглицерин (NG) (CAS 55-63-0)

Триацетонтрипероксид (TATP) (CAS 17088-37-8)

Гуанидин нитрат (CAS 506-93-4)

Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7)

2,4-динитроанизол (DNAN) (CAS 119-27-7)

(п. 44 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

4,10-динитро-2,6,8,12-тетраокса-4,10-диазаизовюрцитан (TEX)

(п. 45 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

динитрамид гуанил-мочевины (GUDN) FOX-12 (CAS 217464-38-5)

(п. 46 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Тетразины:

а) бис(2,2,2-тринитроэфир)-3,6-диаминотетразин (BTAT)

б) 3,6-диамино-1,2,4,5-тетразина-1,4-диоксид (LAX-112)

(п. 47 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Энергетические ионические материалы, плавящиеся при температурах от 343 K (70 °C) до 373 K (100 °C) и имеющие скорость детонации более 6800 м/с или давление взрывной волны более 18 ГПа (180 кбар)

(п. 48 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

(п. 49 введен Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

(п. 50 введен Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Испытательное, контрольное и производственное оборудование

Оборудование, приведенное ниже, для производства или контроля конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, определенных в пункте 1.1.2, или волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10, а также специально разработанные для него компоненты и вспомогательные устройства:

Машины для намотки волокон, специально разработанные для производства конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры из волокнистых или нитевидных материалов, в которых движения, связанные с позиционированием, пропиткой и намоткой волокон, координируются и программируются по трем или более осям основного сервопозиционирования;

Машины для выкладки ленты, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой ленты, координируются и программируются по пяти или более осям основного сервопозиционирования и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.2.1.2 машины для выкладки ленты имеют способность выкладки одной нитевидной ленты или более шириной от более 25,4 мм до 304,8 мм включительно, а также резки ленты и возобновления отдельных операций в течение процесса выкладки;

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519; в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Многокоординатные ткацкие машины или машины для плетения, включая приспособления и устройства, специально разработанные или модифицированные для плетения, ткачества или переплетения волокон для конструкций из композиционных материалов объемной структуры

(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.2.1.3 плетение включает вязание;

Оборудование, специально разработанное или приспособленное для производства армирующих волокон:

Оборудование для превращения полимерных волокон (таких как полиакрилонитриловые, вискозные, пековые или поликарбосилановые) в углеродные или карбидкремниевые волокна, включая специальное оборудование для натяжения волокон при нагреве;

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Оборудование для химического осаждения элементов или соединений из паровой фазы на нагретую нитевидную подложку в целях производства карбидкремниевых волокон;

Оборудование для получения тугоплавких керамических волокон (например, из оксида алюминия) по мокрому способу;

Оборудование для преобразования путем термообработки волокон алюминийсодержащих прекурсоров в волокна оксида алюминия;

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Оборудование для производства препрегов, определенных в пункте 1.3.10.5, методом горячего плавления;

Оборудование для неразрушающего контроля, специально разработанное для композиционных материалов, такое как:

Системы рентгеновской томографии для трехмерного обнаружения дефектов;

Установки ультразвуковой дефектоскопии с числовым программным управлением, в которых перемещения для позиционирования трансмиттеров или приемников одновременно координируются и программируются по четырем или более осям, чтобы отслеживать трехмерные контуры обследуемого объекта;

Машины для выкладки жгута, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой жгута, координируются и программируются по двум или более осям основного сервопозиционирования и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.2.1.7 машины для выкладки жгута имеют способность выкладки одной нитевидной ленты или более шириной 25,4 мм или менее, а также резки ленты и возобновления отдельных операций в процессе выкладки

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519; в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Технические примечания:

1. Для целей пункта 1.2.1 основное сервопозиционирование (позиционирование от основного сервопривода) означает управление положением рабочего органа (например, головки) в пространстве с помощью задающей направление компьютерной программы для его точной ориентации относительно осей координат обрабатываемой детали и достижения заданных требований обработки.

2. Для целей пункта 1.2.1 нитевидной лентой является непрерывная полоса в виде ленты, выполненной из жгута или нити, полностью или частично пропитанных смолой. Полностью или частично пропитанными смолой являются в том числе нитевидные ленты, покрытые сухим порошком, которые приклеиваются при нагревании

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 13.12.2018 N 714)

Инструменты, пресс-формы, матрицы или арматура для формообразования в условиях сверхпластичности или диффузионной сварки титана, алюминия или их сплавов, специально разработанные для производства любого из следующего:

а) корпусных конструкций летательных аппаратов или авиационно-космических средств;

б) двигателей для летательных аппаратов или авиационно-космических средств; или

в) компонентов, специально разработанных для конструкций, определенных в подпункте "а" пункта 1.2.3, или двигателей, определенных в подпункте "б" пункта 1.2.3

Материалы

Техническое примечание.

Термины "металлы" и "сплавы", если специально не оговорено иное, относятся к следующим необработанным формам и полуфабрикатам:

а) необработанные формы - аноды, блюмы, болванки, брикеты, бруски, гранулы, губка, дробь, катоды, кольца, кристаллы, спеки, заготовки металла неправильной формы, листы, окатыши, плитки, поковки, порошки, прутки (включая надрубленные прутки и заготовки для проволоки), слитки, слябы, стаканы, сутунки, чушки, шары;

б) полуфабрикаты (независимо от того, имеют они плакирование, покрытие, сверления, пробитые отверстия или нет):

1) материалы, подвергнутые обработке давлением или иным способом, полученные путем прокатки, волочения, штамповки выдавливанием, ковки, штамповки ударным выдавливанием, прессования, гранулирования, распыления и размалывания, а именно: диски, изделия прессованные и штампованные, кольца, ленты, листы, плиты, поковки, полосы, порошки, профили, прутки (включая непокрытые сварочные прутки, присадочную проволоку и катанку), пудры, трубы круглого и квадратного сечения, уголки, фасонные профили, фольга и тонкие листы, чешуйки, швеллеры;

2) отливки, полученные литьем в любые формы (песчаные, металлические, гипсовые и другие), включая полученные литьем под давлением, а также спеченные заготовки и заготовки, полученные методами порошковой металлургии.

Цель контроля не должна нарушаться при экспорте не указанных выше заготовок или полуфабрикатов, выдаваемых за готовые изделия, но, по существу, представляющих собой контролируемые заготовки или полуфабрикаты

Материалы, специально разработанные для поглощения электромагнитного излучения, или полимеры, обладающие собственной проводимостью:

(в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Материалы для поглощения электромагнитных волн в области частот от 2 x 108 Гц до 3 x 1012 Гц

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Примечания:

1. Пункт 1.3.1.1 не применяется:

а) к поглотителям войлочного типа, изготовленным из натуральных и синтетических волокон, содержащим немагнитный наполнитель;

б) к поглотителям, не имеющим магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности;

в) к плоским поглотителям, имеющим все нижеперечисленные характеристики:

1) изготовленным из любых следующих материалов:

вспененных полимерных материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связующие, обеспечивающих более 5% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на

керамических материалов, обеспечивающих более 20% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на

Техническое примечание.

Для целей подпункта 1 пункта "в" примечания 1 к пункту 1.3.1.1 образцы для проведения испытаний на поглощение должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн средней частоты и располагаться в дальней зоне излучающего элемента;

2) прочность при растяжении менее 7 x 106 Н/м2; и

3) прочность при сжатии менее 14 x 106 Н/м2;

(пп. "д" введен Указом Президента РФ от 19.02.2021 N 109)

Техническое примечание.

(Техническое примечание введено Указом Президента РФ от 19.02.2021 N 109)

2. Магнитные материалы для обеспечения поглощения волн, указанные в примечании 1 к пункту 1.3.1.1, не освобождаются от контроля, если они содержатся в красках

Материалы, непрозрачные для видимого света и специально разработанные для поглощения ближних инфракрасных (NIR) излучений, имеющих длину волны от более 810 нм до менее 2000 нм (частоты более 150 ТГц, но менее 370 ТГц)

(п. 1.3.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Примечание.

Пункт 1.3.1.2 не применяется к материалам, специально разработанным или определенным для применения в лазерной маркировке или сварке полимеров;

(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью выше 10 000 См/м (Сименс/м) или поверхностным удельным сопротивлением менее 100 Ом/м2, полученные на основе любого из следующих полимеров:

Полианилина;

(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Полипиррола;

Политиофена;

Полифенилен-винилена; или

Политиенилен-винилена

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Техническое примечание.

Объемная электропроводность и поверхностное удельное сопротивление должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM D-257 или ее национальным эквивалентом

Примечание.

Пункт 1.3.1.3 не применяется к материалам в жидком виде

(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Особое примечание.

В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.1 - 1.3.1.3.5, см. также пункты 1.3.1 - 1.3.1.3.5 разделов 2 и 3

Металлические сплавы, порошки металлических сплавов и легированные материалы следующих типов:

Алюминиды:

Алюминиды никеля, содержащие от 15 до 38% (по весу) алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент;

Алюминиды титана, содержащие 10% (по весу) или более алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент;

Металлические сплавы, приведенные ниже, изготовленные из порошков или частиц материалов, определенных в пункте 1.3.2.3:

Никелевые сплавы с:

а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 676 МПа и температуре 923 K (650 °C); или

б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 823 K (550 °C) и максимальном напряжении цикла 1095 МПа;

Ниобиевые сплавы с:

а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 400 МПа и температуре 1073 K (800 °C); или

б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 973 K (700 °C) и максимальном напряжении цикла 700 МПа;

Титановые сплавы с:

а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 200 МПа и температуре 723 K (450 °C); или

б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 723 K (450 °C) и максимальном напряжении цикла 400 МПа;

Алюминиевые сплавы с пределом прочности при растяжении:

а) 240 МПа или выше при температуре 473 K (200 °C); или

б) 415 МПа или выше при температуре 298 K (25 °C);

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Магниевые сплавы:

а) с пределом прочности при растяжении 345 МПа или выше; и

б) со скоростью коррозии в 3-процентном водном растворе хлорида натрия менее 1 мм в год, измеренной в соответствии со стандартной методикой ASTM G-31 или ее национальным эквивалентом;

Порошки металлических сплавов или частицы материала, имеющие все следующие характеристики:

Изготовленные из любых следующих по составу систем:

Техническое примечание.

X в дальнейшем соответствует одному или более легирующим элементам

Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), для деталей или компонентов газотурбинных двигателей, содержащие менее трех неметаллических частиц размером более 100 мкм (введенных в процессе производства) на 109 частиц сплава;

Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti);

Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al);

Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); или

Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); и

Изготовленные в контролируемой среде с использованием одного из нижеследующих процессов:

а) вакуумное распыление;

б) газовое распыление;

в) центробежное распыление;

г) скоростная закалка капли;

д) спиннингование расплава и последующее измельчение;

е) экстракция расплава и последующее измельчение;

ж) механическое легирование; или

з) плазменное распыление; и

(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Могущие быть исходными материалами для получения сплавов, определенных в пункте 1.3.2.1 или 1.3.2.2;

Легированные материалы, характеризующиеся всем нижеследующим:

а) изготовлены из любых систем, определенных в пункте 1.3.2.3.1;

б) имеют форму неизмельченных чешуек, ленты или тонких стержней; и

в) изготовлены в контролируемой среде любым из следующих методов:

скоростная закалка капли;

спиннингование расплава; или

экстракция расплава

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Примечание.

Пункт 1.3.2 не применяется к металлическим сплавам, порошкам металлических сплавов и легированным материалам, рецептура которых специально разработана для нанесения покрытий

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Технические примечания:

1. К металлическим сплавам, указанным в пункте 1.3.2, относятся сплавы, которые содержат больший процент (по весу) указанного металла, чем любых других элементов.

2. Ресурс длительной прочности следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-139 или ее национальным эквивалентом. 3. Малоцикловую усталость следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-606 "Технические рекомендации по испытаниям на малоцикловую усталость при постоянной амплитуде" или ее национальным эквивалентом. Образцы должны нагружаться в осевом направлении при среднем значении показателя нагрузки, равном единице, и коэффициенте концентрации напряжения (Kt), равном единице. Средний показатель нагрузки определяется как частное от деления разности максимальной и минимальной нагрузок на максимальную нагрузку

4. Вакуумное распыление - процесс распыления струи расплавленного металла на капли диаметром 500 мкм или менее в результате быстрого выделения растворенного в металле газа в вакуум.

5. Газовое распыление - процесс распыления струи расплавленного металлического сплава на капли диаметром 500 мкм или менее в газовой струе высокого давления.

6. Центробежное распыление - процесс превращения струи или находящегося в ванне расплавленного металла посредством центробежной силы в капли диаметром 500 мкм или менее.

7. Скоростная закалка капли - процесс быстрого затвердевания расплавленного металла, ударяющегося об охлажденное препятствие с образованием хлопьевидного продукта.

8. Спиннингование расплава - процесс быстрого затвердевания струи расплавленного металла, падающей на вращающийся охлаждаемый барабан, формирующий продукт в виде проволоки, ленты или чешуек.

9. Измельчение - процесс получения частиц материала (порошка) посредством дробления или размалывания.

10. Экстракция расплава - процесс быстрого затвердевания сплава и экстракции продукта в виде ленты посредством введения короткого сегмента вращающегося охлаждаемого диска в ванну с расплавленным металлическим сплавом.

11. Механическое легирование - процесс приготовления сплава, заключающийся в образовании химических связей, разрушении, разрыве и образовании одних и тех же связей между порошками чистых компонентов и порошками мастер-сплавов путем механического воздействия. В сплав могут быть введены и неметаллические частицы путем добавления соответствующих порошков.

12. Плазменное распыление - процесс распыления струи расплавленного металла на капли диаметром 500 мкм или менее с использованием плазмотронов в среде инертного газа.

13. Быстрое затвердевание - процесс, в котором затвердевание расплава материала происходит при скоростях охлаждения, превышающих 1000 К/с

(в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Магнитные металлические материалы всех типов и в любой форме, имеющие любую из следующих характеристик:

Начальную относительную магнитную проницаемость 120 000 или более и толщину 0,05 мм или менее

Техническое примечание.

Измерение начальной относительной магнитной проницаемости следует проводить на полностью отожженных материалах;

Магнитострикционные сплавы, имеющие любую из следующих характеристик:

а) магнитострикцию насыщения более 5 x 10-4; или

б) коэффициент магнитомеханического взаимодействия (к) более 0,8; или

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Ленты из аморфных или нанокристаллических сплавов, имеющие все следующие характеристики:

а) содержание железа, кобальта или никеля не менее 75% (по весу);

б) магнитную индукцию насыщения (Bs) 1,6 Т или более; и

в) любое из нижеследующего:

толщину ленты 0,02 мм или менее; или

удельное электрическое сопротивление 2 x 10-4 Ом·см или более

Техническое примечание.

К нанокристаллическим материалам, указанным в пункте 1.3.3.3, относятся материалы, имеющие размер кристаллических зерен 50 нм или менее, определенный методом рентгеновской дифракции

Урано-титановые сплавы или вольфрамовые сплавы с матрицей на основе железа, никеля или меди, имеющие все следующие характеристики:

а) плотность выше 17,5 г/см3;

б) предел упругости выше 880 МПа;

в) предел прочности при растяжении выше 1270 МПа; и

г) относительное удлинение более 8%

Следующие сверхпроводящие проводники из композиционных материалов длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г:

Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько ниобийтитановых нитей, имеющих все нижеперечисленное:

а) уложенных в матрицу не из меди или не на основе меди; и

б) имеющих площадь поперечного сечения менее 0,28 x 10-4 мм2 (6 мкм в диаметре для нитей круглого сечения);

Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, выполненных не из ниобийтитана, имеющих все нижеперечисленное:

а) критическую температуру при нулевом магнитном поле, превышающую 9,85 K (-263,31 °C); и

б) остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре 4,2 K (-268,96 °C) в магнитном поле, ориентированном в любых направлениях, перпендикулярных продольной оси проводника, и соответствующем магнитной индукции 12 Т, при пропускании электрического тока критической плотностью более 1750 А/мм2 по всему сечению проводника;

Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре выше 115 K (-158,16 °C)

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.3.5 нити могут быть в виде проволоки, цилиндра, пленки, ленты или полосы

Жидкости и смазочные материалы:

Исключены. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159

Смазочные материалы, содержащие в качестве основных составляющих следующие соединения или материалы:

Фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функциональных групп или их смесей; или

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Фторированные кремнийорганические жидкости, имеющие кинематическую вязкость менее 5000 мм2/с (5000 сантистоксов) при температуре 298 K (25 °C);

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Амортизаторные или флотационные жидкости, отвечающие всему следующему:

а) имеющие чистоту более 99,8%;

б) содержащие менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл; и

в) полученные по меньшей мере на 85% из любого из следующего:

дибромтетрафторэтана (CAS 25497-30-7, CAS 124-73-2, CAS 27336-23-8);

полихлортрифторэтилена (только маслообразные и воскообразные модификации); или

полибромтрифторэтилена;

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

2903 77 600 0;

2903 77 900 0;

б) плотность 1,5 г/мл или более при температуре 298 K (25 °C);

в) жидкое состояние при температуре 273 K (0 °C); и

г) содержащие 60% (по весу) или более фтора

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Примечание.

Пункт 1.3.6.4 не применяется к материалам, определенным и упакованным как медицинская продукция

(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Керамические порошки, композиционные материалы с керамической матрицей и соответствующие прекурсоры:

(в ред. Указов Президента РФ от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

Керамические порошки из диборида титана (TiB2) (CAS 12045-63-5), имеющие суммарно металлические примеси, исключая специальные добавки, менее 5000 частей на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньше 5 мкм, и при этом не более 10% частиц имеют размер более 10 мкм;

(в ред. Указов Президента РФ от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

Исключен. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714

Примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714;

Композиционные материалы с керамической матрицей:

(п. 1.3.7.3 в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Композиционные материалы типа керамика-керамика с оксидными или стеклянными матрицами, усиленными любым из следующего:

а) непрерывными волокнами любой из следующих систем: AL2O3 (CAS 1344-28-1); или

Si-C-N; или

Примечание.

Подпункт "а" пункта 1.3.7.3.1 не применяется к композиционным материалам, армированным указанными волокнами из этих систем, имеющими предел прочности при растяжении ниже 700 МПа при температуре 1273 К (1000 °C) или деформацию ползучести более 1% при напряжении 100 МПа и температуре 1273 K (1000 °C) за 100 ч

б) волокнами, имеющими все следующие характеристики:

изготовлены из любых следующих материалов:

Si-N;

Si-C;

Si-Al-O-N; или

Si-O-N; и

имеют удельную прочность при растяжении, превышающую 12,7 x 103 м;

(п. 1.3.7.3.1 введен Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Композиционные материалы типа керамика-керамика с непрерывной металлической фазой или без нее, включающие частицы, нитевидные кристаллы или волокна, в которых матрица образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора

2849 90 100 0;

2850 00 200 0;

8113 00 200 0;

8113 00 900 0

(п. 1.3.7.3.2 введен Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Особые примечания:

1. В отношении материалов, ранее определенных в пункте 1.3.7.3, см. подпункт "б" пункта 1.3.7.3.1.

2. В отношении материалов, ранее определенных в пункте 1.3.7.4, см. пункт 1.3.7.3.2.

3. В отношении материалов, определенных в пунктах 1.3.7.3 - 1.3.7.3.2, см. также пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 2;

(особые примечания введены Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Исключен. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714

Особое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714;

Следующие материалы-предшественники, специально разработанные для производства материалов, определенных в пункте 1.3.7.3:

а) полидиорганосиланы;

б) полисилазаны;

в) поликарбосилазаны

3910 00 000 2;

3910 00 000 8

(п. 1.3.7.5 в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.3.7 материалы-предшественники - это полимерные или металлоорганические материалы специализированного назначения, используемые для производства карбида кремния, нитрида кремния и керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами;

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Исключен. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714

Примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714

Нефторированные полимерные вещества:

Нижеперечисленные плавкие имиды в жидкой или твердой форме, в том числе в виде смол, порошков, гранул, пленок, листов, лент или полос:

Бисмалеимиды;

Ароматические полиамид-имиды (PAI), имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 563 K (290 °C);

Ароматические полиимиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 505 K (232 °C);

(п. 1.3.8.1.3 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Ароматические полиэфиримиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 563 K (290 °C)

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Особое примечание.

Для неплавких ароматических полиимидов в форме пленки, листа, ленты или полосы см. пункт 1.1.3;

Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159

Полиариленовые кетоны;

Полиариленовые сульфиды, где ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации;

Полибифениленэфирсульфоны, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 563 K (290 °C)

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Технические примечания:

1. Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для термопластичных материалов и материалов, определенных в пунктах 1.3.8.1.2, 1.3.8.1.4 и 1.3.8.5 соответственно, определяется с использованием метода, описанного в международном стандарте ISO 11357-2(1999) или его национальном эквиваленте.

2. Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для термореактивных материалов и материалов, определенных в пунктах 1.3.8.1.2 и 1.3.8.1.3 соответственно, определяется с использованием метода трехточечного изгиба, описанного в международном стандарте ASTM D 7028-07 или его национальном эквиваленте. Испытание должно проводиться на сухом образце, который достиг минимум 90% степени отверждения при стандартных термореактивных процессах с максимальной температурой перехода в стеклообразное состояние, как это определено в стандарте ASTM E 2160-04 или его национальном эквиваленте

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Необработанные фторированные соединения:

Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159

Фторированные полиимиды, содержащие 10% (по весу) или более связанного фтора;

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Фторированные фосфазеновые эластомеры, содержащие 30% (по весу) или более связанного фтора

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Волокнистые или нитевидные материалы:

1. Для целей расчета удельной прочности при растяжении, удельного модуля упругости либо удельного веса волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пунктах 1.3.10.1, 1.3.10.2, 1.3.10.3 или пункте 2 подпункта "а" пункта 1.3.10.5, их значения должны определяться с использованием Метода А, описанного в международном стандарте ISO 10618 (2004) или его национальном эквиваленте.

2. Оценка удельной прочности при растяжении, удельного модуля упругости либо удельного веса волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10, должна основываться на механических свойствах содержащихся в них однонаправленных моноволокон до их переработки в неоднонаправленные волокнистые или нитевидные материалы

(технические примечания введены Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Органические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:

а) удельный модуль упругости более 12,7 x 106 м; и

б) удельную прочность при растяжении более 23,5 x 104 м

Примечание.

Пункт 1.3.10.1 не применяется к полиэтилену;

Углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:

а) удельный модуль упругости более 14,65 x 106 м; и

б) удельную прочность при растяжении более 26,82 x 104 м

Техническое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519

Примечание.

Пункт 1.3.10.2 не применяется:

а) к элементам конструкций из волокнистых или нитевидных материалов объемной или слоистой структуры для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:

площадь, не превышающую 1 м2;

длину, не превышающую 2,5 м; и

ширину более 15 мм;

б) к механически штапелированным, валяным или резаным (кусковым) углеродным волокнистым или нитевидным материалам длиной 25 мм или менее;

Неорганические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:

б) точку плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде, превышающую температуру 1922 K (1649 °C)

Примечание.

Пункт 1.3.10.3 не применяется:

а) к дискретным, многофазным, поликристаллическим волокнам оксида алюминия в виде рубленых волокон или волокон, беспорядочно уложенных в матах, содержащим 3% или более (по весу) диоксида кремния и имеющим удельный модуль упругости менее 10 x 106 м;

б) к молибденовым волокнам и волокнам из молибденовых сплавов;

в) к волокнам бора;

г) к дискретным керамическим волокнам с температурой плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде ниже 2043 K (1770 °C)

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Технические примечания. Исключены. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159

Волокнистые или нитевидные материалы, имеющие любой из следующих составов:

Состоящие из любого из нижеследующих материалов:

Полиэфиримидов, определенных в пункте 1.3.8.1; или

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Материалов, определенных в пунктах 1.3.8.3 - 1.3.8.5; или

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Состоящие из материалов, определенных в пункте 1.3.10.4.1.1 или 1.3.10.4.1.2, и связанные с волокнами других типов, определенных в пункте 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3

Техническое примечание.

Связанные волокна - состоящая из связанных между собой термопластичных и армирующих волокон волоконная заготовка, в которой волокна первого типа являются прекурсором матрицы;

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Особое примечание.

В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.10.3 - 1.3.10.4.2, см. также пункты 1.3.3 - 1.3.3.2.2 раздела 2;

Волокнистые или нитевидные материалы, полностью или частично пропитанные смолой или пеком (препреги), волокнистые или нитевидные материалы, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы, имеющие все следующее:

а) имеющие любое из следующего:

1) неорганические волокнистые или нитевидные материалы, определенные в пункте 1.3.10.3; или

2) органические или углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующее:

удельный модуль упругости, превышающий 10,15 x 106 м; и

удельную прочность при растяжении, превышающую 17,7 x 104 м; и

б) имеющие любое из следующего:

1) смолу или пек, определенные в пункте 1.3.8 или 1.3.9.2; или

2) температуру перехода в стеклообразное состояние по динамическому - термомеханическому анализу (DMA Tg), равную 453 K (180 °C) или выше, а также феноло альдегидный полимер; или

3) температуру перехода в стеклообразное состояние по динамическому - термомеханическому анализу (DMA Tg), равную 505 K (232 °C) или выше, а также смолу или пек, не определенные в пункте 1.3.8 или 1.3.9.2, и не являющиеся феноло-альдегидным полимером

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Технические примечания:

1. Углеродные волокнистые преформы - упорядоченно расположенные непокрытые или покрытые волокна, образующие каркас изделия, который затем заполняется матрицей, в результате чего формируется композиционный материал.

2. Температура перехода в стеклообразное состояние по динамическому (во времени) - термомеханическому (гранулометрическому) анализу (DMA Tg) для материалов, определенных в пункте 1.3.10.5, определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 7028-07 или его национальном эквиваленте, на сухом образце для испытаний. Для термореактивных материалов степень отверждения сухого образца для испытаний должна быть минимум 90%, как это определяется стандартом ASTM E 2160-04 или его национальным эквивалентом

(технические примечания в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Примечания:

1. Волокнистые или нитевидные материалы, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы, не пропитанные смолой или пеком, определяются как волокнистые или нитевидные материалы по пункту 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3.

2. Пункт 1.3.10.5 не применяется:

а) к элементам конструкций объемной или слоистой структуры из углеродных волокнистых или нитевидных материалов, пропитанных матрицей из эпоксидной смолы (препрегов), для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:

площадь, не превышающую 1 м2;

длину, не превышающую 2,5 м; и

ширину более 15 мм;

б) к механически штапелированным, валяным или резаным (кусковым) углеродным волокнистым или нитевидным материалам длиной 25 мм или менее, полностью или частично пропитанным смолами или пеками, отличными от определенных в пунктах 1.3.8 или 1.3.9.2

Следующие металлы и соединения:

Металлы в виде частиц с размерами менее 60 мкм сферической, пылевидной, сфероидальной форм, чешуйчатые или измельченные, изготовленные из материала, содержащего 99% или более циркония, магния или их сплавов

Техническое примечание.

При определении содержания циркония в него включается природная примесь гафния (обычно 2 - 7%)

Примечание.

Металлы или сплавы, определенные в пункте 1.3.11.1, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;

Бор или его сплавы, приведенные ниже, с размерами частиц 60 мкм или менее:

а) бор чистотой 85% по весу или выше;

б) сплавы бора с содержанием бора 85% по весу или выше

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Примечание.

Металлы или сплавы, определенные в пункте 1.3.11.2, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;

Гуанидин нитрат (CAS 506-93-4);

Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7)

Следующие материалы:

Плутоний в любой форме с содержанием изотопа плутония-238 более 50% (по весу)

Примечание.

Пункт 1.3.12.1 не применяется:

а) к поставкам, содержащим плутоний в количестве 1 г или менее;

б) к поставкам, содержащим три эффективных грамма плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах;

Техническое примечание.

Эффективный грамм для изотопа плутония определяется как вес изотопа в граммах;

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Предварительно обогащенный нептуний-237 в любой форме

Примечание.

Пункт 1.3.12.2 не применяется к поставкам, содержащим нептуний-237 в количестве 1 г или менее

Технические примечания:

1. Предварительно обогащенный - полученный с применением любого процесса в целях увеличения концентрации контролируемого изотопа.

2. Материалы, указанные в пункте 1.3.12, обычно используются для ядерных источников тепла

(технические примечания в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Особое примечание.

В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.12 - 1.3.12.2, см. также пункты 1.3.4 - 1.3.4.2 раздела 2 и пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 3

Программное обеспечение

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, определенного в пункте 1.2

Программное обеспечение для разработки композиционных материалов с объемной или слоистой структурой на основе органических, металлических или углеродных матриц

Особое примечание.

В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 1.4.2, см. также пункт 1.4.1 раздела 2

Программное обеспечение,

специально разработанное или модифицированное, для того чтобы дать возможность оборудованию/системам выполнять функции оборудования/систем, определенных в пункте 1.1.4.3 или 1.1.4.4;

Технология

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства конструкций из композиционных материалов, определенных в пункте 1.1.2, изделий из ароматических полиимидов, определенных в пункте 1.1.3, снаряжения, систем и комплектующих, определенных в пункте 1.1.4, бронежилетов и компонентов, определенных в пункте 1.1.5, оборудования, определенного в пункте 1.1.6.2, 1.1.7 или 1.2, или материалов, определенных в пункте 1.3

(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Особое примечание.

В отношении технологий, указанных в пункте 1.5.1, см. также пункт 1.5.1 разделов 2 и 3

Иные нижеследующие технологии:

Технологии разработки или производства полибензотиазолов или полибензоксазолов;

Технологии разработки или производства фторэластомерных соединений, содержащих по крайней мере один винилэфирный мономер;

Технологии разработки или производства следующих керамических порошков или некомпозиционных керамических материалов:

(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Керамических порошков, обладающих всем нижеперечисленным:

а) любой из следующих композиций:

простые или сложные оксиды циркония и сложные оксиды кремния или алюминия;

простые нитриды бора (с кубической кристаллической решеткой);

простые или сложные карбиды кремния или бора; или

простые или сложные нитриды кремния;

б) суммарными металлическими примесями, исключая преднамеренно вносимые добавки, в количестве, не превышающем:

1000 частей на миллион для простых оксидов или карбидов; или

5000 частей на миллион для сложных соединений или простых нитридов; и

в) являющихся любым из следующего:

1) диоксидом циркония (CAS 1314-23-4), имеющим средний размер частиц, равный или меньше 1 мкм, и не более 10% частиц размером, превышающим 5 мкм; или

2) другими керамическими порошками, имеющими средний размер частиц, равный или меньше 5 мкм, и не более 10% частиц размером более 10 мкм;

(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Некомпозиционных керамических материалов, состоящих из материалов, определенных в пункте 1.5.2.3.1

Примечание.

Пункт 1.5.2.3.2 не применяется к технологиям абразивных материалов;

(в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159

Технологии сборки, эксплуатации или восстановления материалов, определенных в пункте 1.3.1;

Технологии восстановления конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, определенных в пункте 1.1.2, или композиционных материалов, определенных в пункте 1.3.7.3

(в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Примечание.

Пункт 1.5.2.6 не применяется к технологиям ремонта элементов конструкций гражданских летательных аппаратов с использованием углеродных волокнистых или нитевидных материалов и эпоксидных смол, содержащимся в руководствах производителя летательных аппаратов

Особое примечание.

В отношении технологий, указанных в пунктах 1.5.2.5 и 1.5.2.6, см. также пункты 1.5.2.1 и 1.5.2.2 раздела 2;

Библиотеки (параметрические технические базы данных), специально разработанные или модифицированные, для того чтобы дать возможность оборудованию/системам выполнять функции оборудования/систем, определенных в пункте 1.1.4.3 или 1.1.4.4

Техническое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159

Системы, оборудование и компоненты

(в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Примечание.

Пункт 2.1.1.1 не применяется к коническим роликовым подшипникам;

Технические примечания:

1. Кольцо - неотъемлемая часть радиального роликового подшипника с одной или несколькими дорожками качения (ISO 5593:1997).

2. Тело качения - шарик или ролик, перемещающийся по дорожкам качения (ISO 5593:1997);

(технические примечания введены Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

а) выполнены из материала с магнитной индукцией 2 Т или более и пределом текучести выше 414 МПа;

б) являются полностью электромагнитными с трехмерным униполярным подмагничиванием привода; или

в) имеют высокотемпературные, с температурой 450 K (177 °C) и выше, позиционные датчики

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

(в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Испытательное, контрольное и производственное оборудование

Технические примечания:

1. Вторичные параллельные оси для контурной обработки (например, W-ось на горизонтально-расточных станках или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее количество осей. Ось вращения необязательно означает вращение на угол, больший 360 градусов. Вращение может задаваться устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой).

2. Для целей пункта 2.2 количество осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, является количеством осей, по которым или вокруг которых в процессе обработки заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения между обрабатываемой деталью и инструментом. Это не включает любые дополнительные оси, по которым или вокруг которых осуществляются другие относительные движения в станке. Такие оси включают:

а) оси систем правки шлифовальных кругов в шлифовальных станках;

б) параллельные оси вращения, предназначенные для установки отдельных обрабатываемых деталей;

в) коллинеарные оси вращения, предназначенные для манипулирования одной обрабатываемой деталью путем закрепления ее в патроне с разных концов.

3. Номенклатура осей определяется в соответствии с международным стандартом ISO 841:2001 "Системы промышленной автоматизации и интеграция. Числовое программное управление станками. Системы координат и обозначение перемещений".

4. Для целей настоящей категории качающийся шпиндель рассматривается как ось вращения.

5. Заявленная однонаправленная повторяемость позиционирования для каждой модели станка может использоваться для всех станков одной модели как альтернатива испытаниям отдельных станков и определяется следующим:

а) выбирается пять станков модели, подлежащей оценке;

б) измеряется повторяемость (R

в) определяется среднее арифметическое значение однонаправленной повторяемости позиционирования на основе значений показателей однонаправленной точности позиционирования для каждой аналогичной оси всех пяти станков выбранной модели. Эти средние арифметические величины однонаправленной повторяемости позиционирования (

г) поскольку каждый из станков, указанных в категории 2 настоящего раздела, имеет несколько линейных осей, количество заявленных величин однонаправленной повторяемости позиционирования их показателя точности должно быть равно количеству этих линейных осей;

д) если любая из осей какой-либо модели станка, не определенного в пунктах 2.2.1.1 - 2.2.1.3, имеет заявленную однонаправленную повторяемость позиционирования, равную или менее (лучше) определенной однонаправленной повторяемости позиционирования каждой модели станка плюс 0,7 мкм, то производитель обязан каждые 18 месяцев заново подтверждать величину точности позиционирования.

6. Для целей пункта 2.2 не следует учитывать погрешность измерения однонаправленной повторяемости позиционирования станков, определенную в соответствии с международным стандартом ISO 230-2:2014 или его национальным эквивалентом.

7. Для целей пункта 2.2 измерения осей должны проводиться в соответствии с методиками испытаний, описанными в пункте 5.3.2 международного стандарта ISO 230-2:2014. Для осей длиной более 2 м испытания должны проводиться на отрезках более 2 м. Для осей длиной более 4 м требуется несколько испытаний (например, два испытания для осей длиной от более 4 м до 8 м и три испытания для осей длиной от более 8 м до 12 м). Каждое испытание должно проводиться с отрезками длиной более 2 м, равномерно распределенными по длине оси. Испытываемые отрезки равномерно распределяются вдоль полной длины оси с любыми излишками длины, равномерно разделенными в начале, посередине и в конце испытываемого отрезка. Указанное в отчете значение всех испытываемых отрезков является наименьшей однонаправленной повторяемостью позиционирования.

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Станки, определенные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими условиями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления:

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Примечания:

1. Пункт 2.2.1 не применяется к станкам, ограниченным изготовлением зубчатых колес. Для таких станков см. пункт 2.2.3.

2. Пункт 2.2.1 не применяется к специальным станкам, ограниченным изготовлением любых из следующих изделий:

а) коленчатых или распределительных валов;

б) режущих инструментов;

в) червяков экструдеров;

г) гравированных или ограненных частей ювелирных изделий; или

д) зубных протезов.

3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3

(п. 4 введен Указом Президента РФ от 19.02.2021 N 109)

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Особое примечание.

Для станков чистовой обработки (финишных станков) оптики см. пункт 2.2.2

2.2.1.1.

Токарные станки с двумя или более осями, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, имеющие любую из следующих характеристик:

а) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 0,9 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м; или

б) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более

(п. 2.2.1.1 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Примечания:

1. Пункт 2.2.1.1 не применяется к токарным станкам, специально разработанным для производства контактных линз и имеющим все следующее:

а) контроллер станка ограничен программным обеспечением с частично программируемым вводом данных, используемых в офтальмологических целях;

б) отсутствие вакуумного патрона.

2. Пункт 2.2.1.1 не применяется к прутковым токарным станкам (токарным многоцелевым станкам продольного точения), которые предназначены для обработки деталей, поступающих только через прутковый питатель, имеют максимальный диаметр прутка 42 мм или менее и на которые невозможно установить держатели. Станки могут иметь возможность сверления или фрезерования для обрабатываемых деталей диаметром менее 42 мм;

(ред. Указов Президента РФ от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

Фрезерные станки, имеющие любую из следующих характеристик:

8459 31 000 0;

8459 51 000 0;

8459 61;

8464 90 000 0;

8465 20 000 0;

а) три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, имеющие любую из следующих характеристик:

1) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 0,9 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м; или

2) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более;

б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления и имеют любую из следующих характеристик:

Примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714

1) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 0,9 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м;

2) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,4 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более и менее 4 м; или

3) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 6 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 4 м или более;

4) исключен. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714

Техническое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714;

в) для координатно-расточных станков однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше); или

г) станки с летучей фрезой, имеющие все следующие характеристики:

биение шпинделя и эксцентриситет менее (лучше) 0,0004 мм полного показания индикатора (ППИ); и

повороты суппорта относительно трех ортогональных осей меньше (лучше) двух дуговых секунд ППИ на 300 мм перемещения;

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

Шлифовальные станки, имеющие любую из следующих характеристик:

а) имеющие все следующие характеристики:

однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше); и

три или четыре оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; или

б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, имеющие любое из следующего:

однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м;

однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,4 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более и менее 4 м; или

однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 6 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 4 м или более

(в ред. Указов Президента РФ от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

Примечание.

Пункт 2.2.1.3 не применяется к следующим шлифовальным станкам:

а) круглошлифовальным, внутришлифовальным и универсальным шлифовальным станкам, обладающим семи следующими характеристиками:

предназначенным лишь для круглого шлифования; и

максимально возможной длиной или наружным диаметром обрабатываемой детали 150 мм;

б) станкам, специально разработанным как координатно-шлифовальные станки, не имеющие Z-оси или W-оси, с однонаправленной повторяемостью позиционирования, равной 1,1 мкм или меньше (лучше);

в) плоскошлифовальным станкам;

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Станки для электроискровой обработки (СЭО) беспроволочного типа, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;

Станки для обработки металлов, керамики или композиционных материалов, имеющие все следующие характеристики:

а) обработка материалов осуществляется любым из следующих способов:

струями воды или других жидкостей, в том числе с абразивными присадками;

электронным лучом; или

лазерным лучом; и

б) по крайней мере две оси вращения, имеющие все следующее:

возможность быть совместно скоординированными для контурного управления; и

точность позиционирования менее (лучше) 0,003 градуса;

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Сверлильные станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий более 5000 мм

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Станки с числовым программным управлением для чистовой обработки (финишные станки) асферических оптических поверхностей с выборочным снятием материала, имеющие все следующие характеристики:

а) осуществляющие доводку контура до менее (лучше) 1,0 мкм;

б) осуществляющие чистовую обработку до среднеквадратичного значения шероховатости менее (лучше) 100 нм;

в) имеющие четыре или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; и

г) использующие любой из следующих процессов:

магнитореологической чистовой обработки (МРЧО);

электрореологической чистовой обработки (ЭРЧО);

чистовой обработки пучками высокоэнергетических частиц;

чистовой обработки с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны; или

жидкоструйной чистовой обработки

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Техническое примечание.

Для целей пункта 2.2.2:

а) под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем;

б) под ЭРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную жидкость, вязкость которой регулируется электрическим полем;

в) под чистовой обработкой пучками высокоэнергетических частиц понимается процесс, использующий плазму атомов химически активных элементов или пучки ионов для избирательного съема материала;

г) под чистовой обработкой с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны понимается процесс, в котором используется мембрана под давлением, деформирующая изделие при контакте с ней на небольшом участке;

д) под жидкоструйной чистовой обработкой понимается процесс, использующий поток жидкости для съема материала

Горячие изостатические прессы, имеющие все нижеперечисленное, и специально разработанные для них компоненты и приспособления:

а) камеры с регулируемыми температурами внутри рабочей полости и внутренним диаметром полости камеры 406 мм и более; и

б) любую из следующих характеристик:

максимальное рабочее давление выше 207 МПа;

регулируемые температуры выше 1773 K (1500 °C); или

оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения

Техническое примечание.

Внутренний размер камеры относится к полости, в которой достигаются рабочие давление и температура, при этом исключаются установочные приспособления. Указанный выше размер будет наименьшим из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из этих камер находится в другой

Оборудование, специально разработанное для осаждения неорганических покрытий, слоев, их обработки и активного управления процессом их нанесения и модификации поверхности, например для формирования подложек, определенных в колонке 2 таблицы к пункту 2.5.3.6, с использованием процессов, определенных в колонке 1 названной таблицы, а также специально разработанные для такого оборудования автоматизированные компоненты установки, позиционирования, манипулирования и регулирования:

(п. 2.2.5 в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Производственное оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD), имеющее все нижеследующее:

а) процесс, модифицированный для реализации одного из следующих методов:

CVD с пульсирующим режимом;

термического осаждения с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD); или

CVD с применением плазменного разряда, модифицирующего процесс; и

б) включающее любое из следующего:

высоковакуумные (вакуум, равный 0,01 Па или ниже (лучше) вращающиеся уплотнения; или

средства регулирования толщины покрытия в процессе осаждения;

Производственное оборудование ионной имплантации с током пучка 5 мА или более;

Технологическое оборудование для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом электронным пучком (EB-PVD), включающее силовые системы с расчетной мощностью более 80 кВт и имеющее любую из следующих составляющих:

а) лазерную систему управления уровнем жидкой ванны, которая точно регулирует скорость подачи заготовок; или

б) управляемое компьютером контрольно-измерительное устройство, работающее на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимое для управления скоростью осаждения покрытия, содержащего два или более элемента;

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик:

а) работающее при пониженном давлении контролируемой атмосферы (равном или ниже 10 кПа, измеряемом на расстоянии до 300 мм над выходным сечением сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, которая перед началом процесса напыления может быть откачана до 0,01 Па; или

б) включающее средства регулирования толщины покрытия в процессе напыления;

Производственное оборудование осаждения распылением, обеспечивающее плотность тока 0,1 мА/мм2 или более, со скоростью осаждения 15 мкм/ч или более;

Производственное оборудование катодно-дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления положением активного пятна дуги на катоде;

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Производственное оборудование, способное к измерению в процессе ионного осаждения любого из следующего:

а) толщины покрытия на подложке с управлением скоростью осаждения; или

б) оптических характеристик

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Примечание.

Пункты 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5, 2.2.5.6 и 2.2.5.7 не применяются соответственно к оборудованию химического осаждения из паровой фазы (CVD), ионной имплантации, осаждения распылением, катодно-дугового напыления и ионного осаждения, специально разработанному для покрытия режущего или обрабатывающего инструмента

Системы, оборудование, устройства обратной связи и электронные сборки для измерения или контроля размеров:

(в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Координатно-измерительные машины (КИМ) с компьютерным управлением или числовым программным управлением, имеющие в соответствии с международным стандартом ISO 10360-2 (2009) пространственную (объемную) максимально допустимую погрешность измерения длины (E0,MPE) в любой точке в пределах рабочего диапазона машины (то есть в пределах длины осей), равную или меньше (лучше) (1,7 + L/1000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах)

Техническое примечание.

(E0,MPE) лучшей компоновки КИМ, определенная производителем например, лучшее из следующего: измерительная головка, длина измерительного наконечника, параметры хода, режим работы) и со всеми доступными компенсациями, должна сравниваться с пороговой величиной (1,7 + L/1000) мкм;

Приборы или системы для измерения линейных перемещений, линейные устройства обратной связи и электронные сборки:

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0

(п. 2.2.6.2 в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Примечание.

Интерферометры и оптические кодирующие устройства систем измерения, содержащие лазер, определены только в пункте 2.2.6.2.3

(примечание введено Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Примечание.

Пункт 2.2.6.2.1 не применяется к измерительным интерферометрическим системам с автоматическим управлением, разработанным для применения техники без обратной связи, содержащим лазер для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения размеров или другого подобного оборудования;

Линейные устройства обратной связи, специально разработанные для станков и имеющие точность менее (лучше) (800 + (600 x L/1000) нм (L - измеряемая длина в миллиметрах)

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0

(п. 2.2.6.2.2 в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Примечание.

Пункт 2.2.6.2.2 не применяется к оптическим приборам, таким как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала;

Измерительные системы, имеющие все следующие характеристики:

а) содержащие лазер;

б) имеющие разрешение на полной шкале 0,2 нм или меньше (лучше); и

в) способные достигать погрешности измерения при компенсации показателя преломления воздуха в любой точке в пределах измеряемого диапазона, равной или меньше (лучше) (1,6 + L/2000) нм (L - измеряемая длина в миллиметрах) и измеренной в течение 30 секунд при температуре 20 °C

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0

(п. 2.2.6.2.3 введен Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Техническое примечание.

Для целей пункта 2.2.6.2 разрешением является наименьшее приращение показаний измерительного устройства, в цифровых приборах - младший бит

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Электронные сборки, специально разработанные для обеспечения возможности обратной связи в системах, определенных в пункте 2.2.6.2.3;

(п. 2.2.6.2.4 введен Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Вращающиеся устройства обратной связи, специально разработанные для станков, или приборы для измерения угловых перемещений с точностью измерения по угловой координате, равной или меньше (лучше) 0,9 угловой секунды

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0

(п. 2.2.6.3 в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Примечание.

Пункт 2.2.6.3 не применяется к оптическим приборам, таким как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала;

(примечание введено Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Оборудование, использующее принцип оптического рассеяния для измерения неровности (шероховатости) поверхности (включая дефекты поверхности) с чувствительностью 0,5 нм или менее (лучше)

9031 49 900 0

(п. 2.2.6.4 введен Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Примечание.

Пункт 2.2.6 включает станки, отличные от определенных в пункте 2.2.1, которые могут быть использованы в качестве измерительных машин, если их параметры соответствуют критериям, определенным для параметров измерительных машин, или превосходят их

Роботы, имеющие любую из нижеперечисленных характеристик, и специально разработанные для них устройства управления и рабочие органы:

а) исключен. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714

Техническое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714;

б) специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности применительно к условиям работы со взрывчатыми веществами, которые могут быть использованы в военных целях

Примечание.

Подпункт "б" пункта 2.2.7 не применяется к роботам, специально разработанным для применения в камерах для окраски распылением;

в) специально разработанные или оцениваемые как радиационно стойкие, выдерживающие более 5 x 103 Гр (по кремнию) [5 x 105 рад] без ухудшения эксплуатационных характеристик; или

г) специально разработанные для работы на высотах, превышающих 30 000 м

(в ред. Указов Президента РФ от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

Составные поворотные столы или качающиеся шпиндели, специально разработанные для станков:

(п. 2.2.8 в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Исключен. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714

Особое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714;

Исключен. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714

Особое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714;

Примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714;

Составные поворотные столы, имеющие все следующие характеристики:

а) разработанные для токарных, фрезерных и шлифовальных станков; и

б) имеющие две вращающиеся оси, одновременно скоординированные для контурного управления

(п. 2.2.8.3 в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Техническое примечание.

Составной поворотный стол - стол, позволяющий вращать и наклонять деталь относительно двух непараллельных осей;

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Качающиеся шпиндели, имеющие все следующие характеристики:

а) разработанные для токарных, фрезерных и шлифовальных станков; и

б) одновременно скоординированные для контурного управления

(п. 2.2.8.4 введен Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Станки для ротационной вытяжки и обкатные вальцовочные станки, которые в соответствии с технической документацией производителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерным управлением и которые имеют все следующие характеристики:

а) три или более оси, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; и

б) усилие на валке/ролике более 60 кН

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Техническое примечание.

Станки, объединяющие функции ротационной вытяжки и вальцовки методом обкатки, считаются для целей пункта 2.2.9 относящимися к обкатным вальцовочным станкам

(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Материалы - нет

Программное обеспечение

Программное обеспечение иное, чем определенное в пункте 2.4.2:

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, или оборудования, определенного в пункте 2.2;

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для применения подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1.2, или оборудования, определенного в пунктах 2.2.1, 2.2.3 - 2.2.9

(п. 2.4.1 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Примечание.

Пункт 2.4.1 не применяется к программному обеспечению, которое генерирует коды числового программного управления для обработки различных деталей

(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Особое примечание.

В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, см. также пункт 2.4.1 раздела 2

(особое примечание в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное в электронное устройство или систему, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способный координировать одновременно более четырех осей для контурного управления

Примечания:

1. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному или модифицированному для работы изделий, не определенных в категории 2.

2. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению для изделий, определенных в пункте 2.2.2. Для такого программного обеспечения см. пункты 2.4.1 и 2.4.3.

3. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению, минимально необходимому для эксплуатации изделий, не определенных в категории 2, и экспортируемому совместно с этими изделиями

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Программное обеспечение, разработанное или модифицированное для эксплуатации станков, определенных в пункте 2.2.2, преобразующее функции оптического приспособления, измерения обрабатываемой детали и снятия материала в команды числового программного управления для получения заданной формы детали

(п. 2.4.3 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Технология

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, оборудования, определенного в пункте 2.2, или программного обеспечения, определенного в пункте 2.4

Примечание.

Пункт 2.5.1 включает технологию встраивания систем щупов в КИМ, определенные в пункте 2.2.6.1

(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, или оборудования, определенного в пункте 2.2

Особое примечание.

В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также пункт 2.5.1 раздела 2

Иные нижеследующие технологии:

Исключен. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714;

Технологии производственных процессов металлообработки:

Технологии проектирования инструмента, пресс-форм или зажимных приспособлений, специально разработанные для любого из следующих процессов:

а) формообразования в условиях сверхпластичности;

б) диффузионной сварки; или

в) гидравлического прессования прямого действия;

Технические данные, включающие описание технологического процесса или его параметры:

а) для формообразования в условиях сверхпластичности изделий из алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов:

подготовка поверхности;

скорость деформации;

температура;

давление;

б) для диффузионной сварки титановых сплавов

или суперсплавов:

подготовка поверхности;

температура;

давление;

в) для гидравлического прессования прямого действия алюминиевых или титановых сплавов:

давление;

время цикла;

г) для горячего изостатического уплотнения титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов:

температура;

давление;

время цикла;

Технические примечания:

1. Гидравлическое прессование прямого действия - процесс деформирования, в котором применяется заполненная жидкостью гибкая камера, находящаяся в непосредственном контакте с заготовкой.

2. Горячее изостатическое уплотнение - процесс прессования отливок при температурах выше 375 К (102 °C) в герметичном объеме через различные среды (газообразную, жидкую, твердые порошки и так далее), создающий гидростатическое давление и имеющий целью уменьшение или исключение их пористости;

(технические примечания введены Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Технологии разработки или производства гидравлических прессов для штамповки с вытяжкой и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов;

Исключен. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714;

Технологии разработки комплексного программного обеспечения для включения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления;

Технологии нанесения наружных слоев неорганических покрытий, в том числе для модификации поверхностей, определенных в колонке "Получаемое покрытие" таблицы к настоящему пункту, на подложки для неэлектронных приборов/компонентов, определенные в колонке "Подложки" указанной таблицы, с использованием процессов, определенных в колонке "Процесс нанесения покрытия" этой же таблицы и описанных в технических примечаниях к ней

Особое примечание.

Нижеприведенная таблица к пункту 2.5.3.6. должна рассматриваться для определения технологии конкретного процесса нанесения покрытия, только когда относящееся к этому процессу получаемое покрытие находится в абзаце таблицы, расположенном напротив выбранной подложки.

Например, технические характеристики процесса химического осаждения из паровой фазы (CVD) (колонка таблицы "Процесс нанесения покрытия") включают нанесение силицидов (колонка таблицы "Получаемое покрытие") на подложки из углерод-углерода, композиционных материалов с керамической или металлической матрицей (колонка таблицы "Подложки"), но не включают их нанесение на подложки из металлокерамического карбида вольфрама (16), карбида кремния (18), так как во втором случае покрытие из силицидов не перечислено в абзаце колонки "Получаемое покрытие", расположенном непосредственно напротив абзаца соответствующего перечня колонки "Подложки" (металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD)

суперсплавы

алюминиды на поверхности внутренних каналов

керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)

силициды, карбиды, диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), нитрид бора

металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)

молибден и его сплавы

диэлектрические слои (15)

бериллий и его сплавы

диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)

материалы окон датчиков (9)

диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)

2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом

2.1. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком

суперсплавы

сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4)

керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)

диэлектрические слои (15)

коррозионно-стойкие стали (7)

MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора

металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)

молибден и его сплавы

диэлектрические слои (15)

бериллий и его сплавы

диэлектрические слои (15), бориды, бериллий

материалы окон датчиков (9)

диэлектрические слои (15)

титановые сплавы (13)

бориды, нитриды

2.2. Ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом (ионное осаждение)

керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)

диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

диэлектрические слои (15)

металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

диэлектрические слои (15)

молибден и его сплавы

диэлектрические слои (15)

бериллий и его сплавы

диэлектрические слои (15)

материалы окон датчиков (9)

диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

2.3. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной лазерным нагревом

керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)

силициды, диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

диэлектрические слои (15)

металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

диэлектрические слои (15)

молибден и его сплавы

диэлектрические слои (15)

бериллий и его сплавы

диэлектрические слои (15)

материалы окон датчиков (9)

диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

2.4. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной катодно-дуговым разрядом

суперсплавы

сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5)

полимеры (11) и композиционные материалы с органической матрицей

бориды, карбиды, нитриды, алмазоподобный углерод (17)

3. Твердофазное диффузионное насыщение (10)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)

титановые сплавы (13)

силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2)

тугоплавкие металлы и сплавы (8)

силициды, оксиды

4. Плазменное напыление

суперсплавы

MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир, сплавы на основе алюминидов (2)

алюминиевые сплавы (6)

MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4)

тугоплавкие металлы и сплавы (8)

алюминиды, силициды, карбиды

коррозионно-стойкие стали (7)

MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)

титановые сплавы (13)

карбиды, алюминиды, силициды, сплавы на основе алюминидов (2), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир

5. Нанесение шликера

тугоплавкие металлы и сплавы (8)

оплавленные силициды, оплавленные алюминиды (кроме резистивных нагревательных элементов)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)

6. Осаждение распылением

суперсплавы

сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), алюминиды, модифицированные благородным металлом (3), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4)

керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)

силициды, платина, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

титановые сплавы (13)

бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), карбиды

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора

металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора

молибден и его сплавы

диэлектрические слои (15)

бериллий и его сплавы

бориды, диэлектрические слои (15), бериллий

материалы окон датчиков (9)

диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

тугоплавкие металлы и сплавы (8)

алюминиды, силициды, оксиды, карбиды

7. Ионная имплантация

высокотемпературные подшипниковые стали

присадки хрома, тантала или ниобия

титановые сплавы (13)

бориды, нитриды

бериллий и его сплавы

бориды

металлокерамический карбид вольфрама (16)

карбиды, нитриды

3.1.

Системы, оборудование и компоненты

Примечания:

1. Контрольный статус оборудования и компонентов, описанных в пункте 3.1, других, нежели описаны в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или 3.1.1.1.10 - 3.1.1.1.12, и которые специально разработаны для другого оборудования или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования.

2. Контрольный статус интегральных схем, описанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7 или 3.1.1.1.10 - 3.1.1.1.12, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения определенных функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования.

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 13.12.2018 N 714)

Особое примечание.

В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус для интегральных схем определяется в соответствии с пунктами 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7 и 3.1.1.1.10 - 3.1.1.1.12

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 13.12.2018 N 714)

(п. 3.1.1 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

3.1.1.1.

Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:

3.1.1.1.1.

Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий:

8542

а) суммарную дозу 5 x 103 Гр (по кремнию) [5 х 105 рад] или выше;

б) мощность дозы 5 x 106 Гр (по кремнию)/с [5 x 108 рад/с] или выше; или

в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 x 1013 н/см2 или более по кремнию или его эквивалент для других материалов

Примечание.

Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре);

3.1.1.1.2.

Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, интегральные схемы, включающие в себя аналого-цифровые преобразователи и функцию хранения или обработки цифровых данных, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, заказные интегральные схемы (при условии, что их функции неизвестны или неизвестно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы), процессоры быстрого преобразования Фурье, статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ) или энергонезависимые запоминающие устройства, имеющие любую из следующих характеристик:

8542

а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (125 °C);

б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 °C); или

в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55 °C) до 398 К (125 °C)

(в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Энергонезависимые запоминающие устройства - устройства с функцией сохранения данных после выключения источника питания;

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

3.1.1.1.3.

Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц

8542 31 901 0;

8542 31 909 0;

8542 39 909 0

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры;

3.1.1.1.4.

Следующие интегральные схемы аналого-цифровых преобразователей (АЦП) и цифроаналоговых преобразователей (ЦАП):

8542 31 901 0;

8542 31 909 0;

8542 39 901 0;

8542 39 909 0

а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:

разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит с частотой выборки более 1,3 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит с частотой выборки более 600 млн. выборок в секунду;

разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит с частотой выборки более 400 млн. выборок в секунду;

разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит с частотой выборки более 250 млн. выборок в секунду; или

разрешающую способность 16 бит или более с частотой выборки более 65 млн. выборок в секунду

Особое примечание.

Для интегральных схем, включающих в себя аналого-цифровые преобразователи и функцию хранения или обработки цифровых данных, см. пункт 3.1.1.1.12

Технические примечания:

1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.

2. Разрешающей способностью АЦП является количество битов цифрового выходного сигнала, который представляет измеренный аналоговый входной сигнал. Эффективное количество битов не применяется для определения разрешающей способности АЦП.

3. Для многоканальных АЦП выходные сигналы не объединяются и частотой выборки является максимальная частота выборки любого канала.

4. Для АЦП с временным разделением каналов или многоканальных АЦП, которые в соответствии со спецификацией имеют режим с временным разделением каналов, частоты выборок объединяются и частотой выборки является максимальная объединенная общая частота выборки всех каналов с временным разделением;";

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

Технические примечания:

1. Динамический диапазон без паразитных сигналов (SFDR) определяется как отношение среднеквадратичного значения несущей частоты (максимального компонента сигнала) на входе ЦАП к среднеквадратичному значению следующего наибольшего компонента шума или гармонического искажения сигнала на его выходе.

2. SFDR определяется непосредственно из справочных таблиц или графиков зависимости характеристик SFDR от частоты.

3. Сигнал определяется как сигнал полной шкалы, когда его амплитуда более - 3 дБпш (полная шкала).

4. Приведенная скорость обновления для ЦАП:

а) для обычных (неинтерполирующих) ЦАП приведенная скорость обновления - скорость, на которой цифровой сигнал преобразуется в аналоговый сигнал при помощи ЦАП. ЦАП, в которых интерполяционный режим может быть обойден (коэффициент интерполяции 1), следует рассматривать как обычные (неинтерполирующие) ЦАП;

б) для интерполирующих ЦАП (ЦАП с избыточной дискретизацией) приведенная скорость обновления определяется как скорость обновления ЦАП, деленная на наименьший коэффициент интерполяции. Для интерполирующих ЦАП приведенная скорость обновления может выражаться по-разному, в том числе как:

скорость ввода данных;

скорость ввода слов;

скорость ввода выборок;

максимальная общая скорость пропускания шины;

максимальная тактовая частота ЦАП для входного тактового сигнала ЦАП;

3.1.1.1.5.

Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие:

8542

а) один внутренний лазерный диод или более;

б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и

в) световоды;

3.1.1.1.6.

Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик:

8542 39 901 0

а) максимальное количество цифровых несимметричных входов/выходов - более 700; или

б) совокупную одностороннюю пиковую скорость передачи данных последовательного приемопередатчика (трансивера) 500 Гбит/с или более

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.6 включает:

сложные программируемые логические устройства (СПЛУ);

программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ);

программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ);

программируемые пользователем межсоединения (ППМС)

(в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Особое примечание.

Для программируемых логических интегральных схем, совместимых с аналого-цифровыми преобразователями, см. пункт 3.1.1.1.12

(особое примечание введено Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Технические примечания:

1. Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159

2. Максимальное количество цифровых входов/выходов, определенное в подпункте "а" пункта 3.1.1.1.6, называется также максимальным количеством пользовательских входов/выходов или максимальным количеством доступных входов/выходов, независимо от того, является ли интегральная схема заключенной в корпус или бескорпусным кристаллом.

3. Совокупная односторонняя пиковая скорость передачи данных последовательного приемопередатчика является результатом произведения пиковой скорости передачи данных последовательного одностороннего приемопередатчика на количество приемопередатчиков на программируемой пользователем вентильной матрице (ППВМ);

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

3.1.1.1.7.

Интегральные схемы для нейронных сетей;

8542

3.1.1.1.8.

Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю неизвестен статус контроля аппаратуры, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик:

8542 31 901 0;

8542 31 909 0;

8542 39 901 0;

8542 39 909 0

а) более 1500 выводов;

б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,02 нс; или

в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

3.1.1.1.9.

Цифровые интегральные схемы, иные, нежели описанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 и пункте 3.1.1.1.10, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего:

8542

а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или

б) частотой переключения выше 1,2 ГГц;

3.1.1.1.10.

Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного N-точечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log2 N)/20 480 мс, где N - количество точек

8542 31 901 0;

8542 31 909 0;

8542 39 909 0

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Техническое примечание.

В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.10 дает результат времени выполнения 500 мкс

3.1.1.1.11.

Интегральные схемы цифровых синтезаторов с прямым синтезом частот, имеющие любую из следующих характеристик:

8542 39 901 0;

8542 39 909 0

а) тактовую частоту цифроаналогового преобразователя (ЦАП) 3,5 ГГц или более и разрешающую способность ЦАП от 10 бит до 12 бит; или

б) тактовую частоту ЦАП 1,25 ГГц или более и разрешающую способность ЦАП 12 бит или более

(п. 3.1.1.1.11 введен Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519; в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Техническое примечание.

Тактовая частота ЦАП может быть определена как задающая тактовая частота или тактовая частота входного сигнала

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Интегральные схемы, выполняющие все следующее или программируемые для выполнения всего следующего:

8542 31 901 0;

8542 31 909 0;

8542 39 901 0;

8542 39 909 0

а) аналого-цифровые преобразования, имеющие любую из следующих характеристик:

разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит с частотой выборки более 1,3 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит с частотой выборки более 1 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит с частотой выборки более 1 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит с частотой выборки более 400 млн. выборок в секунду; или

разрешающую способность 16 бит или более с частотой выборки более 180 млн. выборок в секунду; и

б) любое из следующего:

хранение цифровых данных; или

обработка цифровых данных

(п. 3.1.1.1.12 введен Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Особые примечания:

1. Для аналого-цифровых преобразователей см. подпункт "а" пункта 3.1.1.1.4.

2. Для программируемых пользователем логических устройств см. пункт 3.1.1.1.6

(особые примечания введены Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Технические примечания:

1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.

2. Разрешающей способностью АЦП является количество битов цифрового выходного сигнала, который представляет измеренный аналоговый входной сигнал. Эффективное количество битов не применяется для определения разрешающей способности АЦП.

3. Для многоканальных АЦП выходные сигналы не объединяются и частотой выборки является максимальная частота выборки любого канала.

4. Для АЦП с временным разделением каналов или многоканальных АЦП, которые в соответствии со спецификацией имеют режим с временным разделением каналов, частоты выборок объединяются и частотой выборки является максимальная объединенная общая частота выборки всех каналов с временным разделением

(технические примечания введены Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

3.1.1.2.

Изделия микроволнового или миллиметрового диапазона:

(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

3.1.1.2.1.

Нижеперечисленные вакуумные электронные устройства и катоды:

(в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

3.1.1.2.1.1.

Вакуумные электронные устройства бегущей волны импульсного или непрерывного действия:

8540 79 000 9

а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц;

б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода вакуумного электронного устройства на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;

в) вакуумные электронные устройства с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;

г) вакуумные электронные устройства, основанные на спирали, сложенном волноводе или извилистом волноводе, или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик:

мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;

мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1;

пригодные для применения в космосе; или

имеющие электронную пушку с координатной привязкой;

д) вакуумные электронные устройства с относительной шириной полосы частот, равной 10% или более, имеющие любое из следующего: кольцевой пучок электронов;

пучок электронов, несимметричный относительно оси; или множественные пучки электронов;

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 13.12.2018 N 714)

3.1.1.2.1.2.

Вакуумные электронные устройства магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ;

8540 71 000 0

(в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Термоэлектронные катоды, разработанные для вакуумных электронных устройств, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/см2, или в импульсном (прерывающемся) режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 10 А/см2;

(п. 3.1.1.2.1.3 в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Вакуумные электронные устройства с возможностью работы в двухканальном режиме

(п. 3.1.1.2.1.4 введен Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Техническое примечание.

Двухканальный режим означает, что вакуумное электронное устройство может переключаться между непрерывным и импульсным режимами работы через сеть и имеет пиковую выходную мощность больше, чем выходная мощность при непрерывном излучении

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Примечания:

1. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к вакуумным электронным устройствам, разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:

а) частота не превышает 31,8 ГГц; и

б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения.

2. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к вакуумным электронным устройствам, непригодным для применения в космосе и имеющим все следующие характеристики:

а) среднюю выходную мощность, равную или меньше 50 Вт; и

б) разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:

частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и

диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;

(в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

3.1.1.2.2.

Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик:

8542 31 300 0;

8542 31 901 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 33 900 0;

8542 39 300 0;

8542 39 901 0;

8543 90 000 0

Особое примечание.

ММИС - усилители мощности, имеющие интегрированные фазовращатели, должны оцениваться в соответствии с пунктом 3.1.1.2.11

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 75 Вт (48,75 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 55 Вт (47,4 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,6 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 10 Вт (40 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 16 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 3 Вт (34,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;

г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;

е) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) для работы на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;

ж) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 10 мВт (10 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5%; или

з) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

Примечания:

1. Контрольный статус ММИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "з" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.

2. Пункты 1 и 2 примечаний к пункту 3.1 подразумевают, что пункт 3.1.1.2.2 не применяется к ММИС, если они специально разработаны для применения, например, в телекоммуникациях, радиолокационных станциях, автомобилях;

(примечания в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

3.1.1.2.3.

Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик:

8541 21 000 0;

8541 29 000 0

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 400 Вт (56 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 205 Вт (53,12 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 115 Вт (50,61 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 60 Вт (47,78 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 15 Вт (41,76 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 7 Вт (38,45 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

(п. 3.1.1.2.3 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

.Особое примечание.

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

3.1.1.2.4.

Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик:

8543 70 900 0

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15% и имеющие все следующее:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 500 Вт (57 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 270 Вт (54,3 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 200 Вт (53 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 90 Вт (49,54 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10% и имеющие все следующее:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 70 Вт (48,54 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 30 Вт (44,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 2 Вт (33 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;

д) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,2 Вт (23 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10%;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (13 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5%; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц;

е) исключен. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 13.12.2018 N 714)

Техническое примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714

Особые примечания:

1. Для оценки ММИС - усилителей мощности должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.2.

2. Для оценки приемо-передающего модуля должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.11.

3. В отношении преобразователей и смесителей на гармониках, разработанных для расширения частотного диапазона аппаратуры, см. пункт 3.1.1.2.6

(особые примечания в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Примечание.

Контрольный статус устройств, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, которые указаны в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения;

(примечание в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

3.1.1.2.5.

Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5 : 1 (fmax/fmin) менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик:

8543 70 900 0

а) полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или

б) полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты;

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

3.1.1.2.6.

Преобразователи и смесители на гармониках, удовлетворяющие любому из следующих условий:

а) разработанные для расширения верхнего предела частотного диапазона анализаторов сигнала до уровня выше 90 ГГц;

б) разработанные для расширения следующих рабочих характеристик генераторов сигнала:

верхнего предела частотного диапазона до уровня выше 90 ГГц;

выходной мощности до уровня более 100 мВт (20 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 43,5 ГГц до менее 90 ГГц;

в) разработанные для расширения рабочих характеристик схемных анализаторов (анализаторов цепей):

верхнего предела частотного диапазона до уровня выше 110 ГГц;

выходной мощности до уровня более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 43,5 ГГц до менее 90 ГГц;

выходной мощности до уровня более 1 мВт (0 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 90 ГГц до менее 110 ГГц; или

г) разработанные для расширения верхнего предела частотного диапазона микроволновых приемников-тестеров до уровня выше 110 ГГц;

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 70 900 0

(п. 3.1.1.2.6 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

3.1.1.2.7.

Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие вакуумные электронные устройства, определенные в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие характеристики:

8543 70 900 0

а) рабочие частоты выше 3 ГГц;

б) среднюю выходную мощность по отношению к массе, превышающую 80 Вт/кг; и

в) объем менее 400 см3

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 13.12.2018 N 714)

Примечание.

Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, разработанной или определенной изготовителем для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;

3.1.1.2.8.

Мощные СВЧ-модули, содержащие, по крайней мере, вакуумное электронное устройство бегущей волны, монолитную микроволновую интегральную схему и встроенный электронный стабилизатор напряжения, имеющие все следующие характеристики:

8540 79 000 9;

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 70 900 0;

8543 90 000 0

а) время включения от выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния менее 10 с;

б) физический объем ниже произведения максимальной номинальной мощности в ваттах на 10 см3/Вт; и

в) мгновенную ширину полосы частот более одной октавы (fmax>2fmin) и любое из следующего:

для частот, равных или ниже 18 ГГц, радиочастотную выходную мощность более 100 Вт; или

частоту выше 18 ГГц

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

Технические примечания:

1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время включения относится к периоду времени от полностью выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния, то есть оно включает время готовности мощного СВЧ-модуля.

2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 приводится следующий пример расчета физического объема мощного СВЧ-модуля.

Для максимальной номинальной мощности 20 Вт физический объем определяется как 20 [Вт] x 10 [см3/Вт] = 200 [см3]. Это значение физического объема является контрольным показателем и сравнивается с фактическим физическим объемом мощного СВЧ-модуля;

(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Генераторы или генераторные сборки, определенные для работы с фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале C шумомера)/Гц меньше (лучше) -(126 + 20 log10F - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 Гц

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 20 000 0

(п. 3.1.1.2.9 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Техническое примечание.

В пункте 3.1.1.2.9: F - отстройка от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц;

(техническое примечание в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты, определенное любым из следующего:

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 20 000 0

а) менее 143 пс;

б) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 4,8 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;

в) менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц;

г) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 37 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или

д) менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот выше 90 ГГц

(п. 3.1.1.2.10 в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Приемо-передающие модули, приемо-передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, передающие модули и передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, предназначенные для работы на частотах выше 2,7 ГГц и имеющие все следующие характеристики:

8542 31 300 0;

8542 31 901 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 33 900 0;

8542 39 300 0;

8542 39 901 0;

8543 90 000 0

а) пиковую выходную мощность в режиме насыщения (Вт), Psat, большую, чем результат деления величины 505,62 на максимальную рабочую частоту (ГГц) в квадрате,

то есть: Psat > 505,62 Вт x ГГц2/fГГц2 для любого канала;

б) относительную ширину полосы частот 5% или более для любого канала;

в) планарный корпус (корпус микросхем, предназначенных для монтажа на поверхность) с длиной d (в см), равной результату (или меньшей, чем результат) деления величины 15 на наименьшую рабочую частоту (ГГц), то есть:

d

где N - количество передающих или приемо-передающих каналов; и

г) фазовращатель с электронной регулировкой на канал;

(п. 3.1.1.2.11 введен Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Технические примечания:

1. Приемо-передающий модуль является многофункциональной электронной сборкой, обеспечивающей двунаправленную амплитуду и фазовое управление для передачи и приема сигналов.

2. Передающий модуль является электронной сборкой, обеспечивающей амплитуду и фазовое управление для передачи сигналов.

3. Приемо-передающая монолитная микроволновая интегральная схема является многофункциональной монолитной микроволновой интегральной схемой, обеспечивающей двунаправленную амплитуду и фазовое управление для передачи и приема сигналов.

4. Передающая монолитная микроволновая интегральная схема является монолитной микроволновой интегральной схемой, обеспечивающей амплитуду и фазовое управление для передачи сигналов.

5. Значение 2,7 ГГц должно использоваться как наименьшая рабочая частота (fГГц) в формуле, определенной в подпункте "в" пункта 3.1.1.2.11, для приемо-передающих или передающих модулей, которые имеют заявленный рабочий диапазон, увеличивающий нисхождение до 2,7 ГГц и ниже, то есть:

d

6. Пункт 3.1.1.2.11 применяется к приемо-передающим модулям или передающим модулям с теплоотводом (радиатором) или без него. Значение длины (d), указанной в подпункте "в" пункта 3.1.1.2.11, не включает в себя части приемо-передающих модулей или передающих модулей, работающих в качестве теплоотвода (радиатора).

7. Приемо-передающие модули, или передающие модули, или приемо-передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, или передающие интегральные схемы могут иметь или не иметь N элементов встроенных излучающих антенн, где N - количество передающих или приемо-передающих каналов

(технические примечания введены Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.1.1.2 пиковой выходной мощностью в режиме насыщения может также называться (в соответствии со спецификацией производителя) выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая огибающая выходная мощность.

2. Синтезатор частот - любой источник частоты, независимо от используемого фактического метода генерации, обеспечивающий множественность одновременных или альтернативных выходных частот (от одного или нескольких выходов), контролируемых, получаемых или регулируемых меньшим числом стандартных (или специальных) частот

(технические примечания в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Особое примечание.

Для анализаторов сигналов, генераторов сигналов, схемных анализаторов и микроволновых приемников-тестеров общего назначения см. пункты 3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 и 3.1.2.5 соответственно;

3.1.1.3.

Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты:

3.1.1.3.1.

Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое, имеющие любую из следующих характеристик:

8541 60 000 0

а) центральную частоту выше 6 ГГц;

б) центральную частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 6 ГГц, и имеющие любую из следующих характеристик:

частотное подавление боковых лепестков более 65 дБ;

произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;

ширину полосы частот выше 250 МГц; или

дисперсионную задержку более 10 мкс; или

в) центральную частоту 1 ГГц и ниже и имеющие любую из следующих характеристик:

произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;

дисперсионную задержку более 10 мкс; или

частотное подавление боковых лепестков более 65 дБ и ширину полосы частот, превышающую 100 МГц

(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Техническое примечание.

Частотное подавление боковых лепестков - максимальная величина подавления, определенная в перечне технических характеристик (проспекте изделия);

(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

3.1.1.3.2.

Приборы на объемных акустических волнах, обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 6 ГГц;

8541 60 000 0

3.1.1.3.3.

Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку

8541 60 000 0

Примечание.

Пункт 3.1.1.3 не применяется к приборам на акустических волнах, ограниченным пропусканием сигнала через однополосный фильтр, фильтр низких или верхних частот или узкополосный режекторный фильтр или функцией резонирования;

3.1.1.4.

Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально разработанные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, и имеющие любое из следующего:

8540;

8541;

8542;

8543

а) переключение тока для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10-14 Дж; или

б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000;

3.1.1.5.

Нижеперечисленные мощные энергетические устройства:

3.1.1.5.1.

Элементы:

Первичные элементы, имеющие любую из следующих характеристик при температуре 20 °C:

8506

а) плотность энергии, превышающую 550 Вт·ч/кг, и плотность длительной мощности выше 50 Вт/кг; или

(п. 3.1.1.5.1.1 в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

3.1.1.5.1.2.

Вторичные элементы с плотностью энергии, превышающей 350 Вт

8507

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением номинального напряжения в вольтах на номинальную емкость в ампер-часах, поделенным на массу в килограммах. Если номинальная емкость не установлена, плотность энергии определяется произведением возведенного в квадрат номинального напряжения в вольтах на длительность разряда в часах, поделенным на произведение сопротивления нагрузки разряда в омах на массу в килограммах.

2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" определяется как электрохимическое устройство, имеющее положительные и отрицательные электроды и электролит и являющееся источником электроэнергии. Он является основным компоновочным блоком батареи.

3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный элемент" определяется как "элемент", который не предназначен для заряда каким-либо другим источником энергии.

4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный элемент" определяется как "элемент", который предназначен для заряда каким-либо внешним источником энергии

5. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 плотность длительной мощности (Вт/кг) определяется как произведение номинального напряжения в вольтах на определенный максимальный продолжительный ток разряда в амперах, поделенное на массу в килограммах. Плотностью длительной мощности можно также считать определенную мощность

(в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Примечание. Исключено. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714;

3.1.1.5.2.

Высокоэнергетические накопительные конденсаторы:

3.1.1.5.2.1.

Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:

8506;

8507;

8532

а) номинальное напряжение 5 кВ или более;

б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и

в) полную энергию 25 кДж или более;

3.1.1.5.2.2.

Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:

8506;

8507;

8532

а) номинальное напряжение 5 кВ или более;

б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;

в) полную энергию 100 Дж или более; и

г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более;

3.1.1.5.3.

Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все следующие характеристики:

8504 50;

8505 90 200 9

а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;

б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и

в) номинальную магнитную индукцию более 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/мм2

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Примечание.

Пункт 3.1.1.5.3 не применяется к сверхпроводящим электромагнитам или соленоидам, специально разработанным для медицинской аппаратуры отображения магнитного резонанса (аппаратуры магниторезонансной томографии);

3.1.1.5.4.

Солнечные элементы, сборки электрически соединенных элементов под защитным стеклом, солнечные панели и солнечные батареи, пригодные для применения в космосе, имеющие минимальное значение среднего КПД элементов более 20% при рабочей температуре 301 К (28 °C) под освещением с поверхностной плотностью потока излучения 1367 Вт/м2 при имитации условий нулевой воздушной массы (АМО)

8541 40 900 0

(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Техническое примечание.

АМО (нулевая воздушная масса) определяется спектральной плотностью потока солнечного света за пределами атмосферы при расстоянии между Землей и Солнцем, равном одной астрономической единице (АЕ);

Примечание.

Пункт 3.1.1.5 не применяется к батареям, включая батареи, содержащие один элемент;

(примечание введено Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

3.1.1.6.

Преобразователи абсолютного углового положения вала, имеющие точность на входе в код, равную 1,0 угловая секунда или меньше (лучше), и специально разработанные для них кольца, диски или счетчики;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0

(в ред. Указов Президента РФ от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

3.1.1.7.

Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и тиристорные модули, использующие методы электрического, оптического или электронно-эмиссионного управления переключением, имеющие любую из следующих характеристик:

8536 50 030 0;

8536 50 800 0;

8541 30 000 9

а) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30 000 А/мкс и напряжение в закрытом состоянии более 1100 В; или

б) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и все нижеследующее:

пиковое напряжение в закрытом состоянии, равное 3000 В или более; и

пиковый ток (ударный ток), равный или более 3000 А

(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Примечания:

1. Пункт 3.1.1.7 включает:

кремниевые триодные тиристоры;

электрические триггерные тиристоры;

световые триггерные тиристоры;

коммутационные тиристоры с интегральными вентилями;

вентильные запираемые тиристоры;

управляемые тиристоры на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник);

солидтроны.

2. Пункт 3.1.1.7 не применяется к тиристорным устройствам и тиристорным модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте или в гражданских летательных аппаратах

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль содержит одно или несколько тиристорных устройств;

3.1.1.8.

Твердотельные силовые полупроводниковые переключатели, диоды или модули, имеющие все следующие характеристики:

8504 40 820 0;

8536 50 030 0;

8536 50 050 0;

8536 50 800 0;

8541 10 000 9;

8541 21 000 0;

8541 29 000 0;

8541 30 000 9;

8541 50 000 0

а) рассчитанные для максимальной рабочей температуры p-n-перехода выше 488 К (215 °C);

б) повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (блокирующее напряжение), превышающее 300 В; и

в) постоянный ток более 1 А

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

Примечания:

1. Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии в пункте 3.1.1.8 включает напряжение сток - исток, выходное остаточное напряжение, повторяющееся импульсное обратное напряжение и блокирующее импульсное напряжение в закрытом состоянии.

2. Пункт 3.1.1.8 включает:

канальные полевые транзисторы с p-n-переходом (JFET);

канальные полевые транзисторы с вертикальным p-n-переходом (VJFET);

канальные полевые униполярные транзисторы на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник) (MOSFET);

канальные полевые двойные диффузные металл-оксид полупроводниковые транзисторы (DMOSFET);

трехфазные тяговые преобразователи на транзисторных ключах (IGBN);

транзисторы с высокой подвижностью электронов (ВПЭ-транзисторы) (HMET);

биполярные плоскостные транзисторы (BJT);

тиристоры и управляемые кремниевые выпрямители (диоды) (SCR);

высоковольтные полупроводниковые запираемые тиристоры (GTO);

тиристоры с эмиттерами включения (ETO);

регулируемые резистивные диоды (PIN-диоды);

диоды Шоттки.

3. Пункт 3.1.1.8 не применяется к переключателям, диодам или модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте, в гражданских автомобилях или в гражданских летательных аппаратах

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.8 модуль содержит один или несколько твердотельных силовых полупроводниковых переключателей или диодов

Электрооптические модуляторы интенсивности, амплитуды или фазы, разработанные для аналоговых сигналов и имеющие любую из следующих характеристик:

а) максимальную рабочую частоту более 10 ГГц, но менее 20 ГГц, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:

1) полуволновое напряжение (

2) полуволновое напряжение (

б) максимальную рабочую частоту 20 ГГц или более, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:

1) полуволновое напряжение (

2) полуволновое напряжение (

(п. 3.1.1.9 введен Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Примечание.

Пункт 3.1.1.9 включает электрооптические модуляторы, имеющие оптические входные и выходные разъемы (например, оптоволоконные гибкие выводы)

(примечание введено Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.9 полуволновым напряжением (

(техническое примечание введено Указом Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Нижеперечисленные электронные сборки, модули и аппаратура общего назначения и принадлежности для них:

(п. 3.1.2 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

3.1.2.1.

Записывающая аппаратура и осциллографы:

(п. 3.1.2.1 в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Для приборов преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов см. пункт 3.1.2.7;

(особое примечание введено Указом Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

3.1.2.1.1 - 3.1.2.1.4.

Исключены. - Указ Президента РФ от 21.07.2014 N 519

3.1.2.1.5.

Исключен. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159

Технические примечания. Исключены. - Указ Президента РФ от 07.04.2017 N 159

3.1.2.1.6.

Устройства записи цифровых данных, удовлетворяющие всем следующим условиям:

8471 50 000 0;

8471 60;

8471 70 200 0;

8471 70 300 0;

8471 70 500 0;

8519 89 900 9;

8521 90 000 9;

8522 90 490 0;

8522 90 800 0;

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0

а) обладающие устойчивой пропускной способностью диска или твердотельной памяти более 6,4 Гбит/с; и

(п. 3.1.2.1.6 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Технические примечания:

1. Для устройств записи с архитектурой на параллельной шине пропускная способность - произведение наивысшей скорости записи слов на количество бит (разрядов) в слове.

2. Пропускная способность - наивысшая скорость, с которой устройство может производить запись на диск или в твердотельную память без потери информации при сохранении скорости ввода данных или дискретизации;

(технические примечания в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

3.1.2.1.7.

Осциллографы, работающие в реальном масштабе времени, имеющие среднеквадратичное напряжение собственных шумов по вертикальной оси менее 2% полной шкалы при вертикальной настройке, обеспечивающей минимальный уровень шума в полосе пропускания 60 ГГц на канал или более по уровню 3 дБ на любом из выходов

9030 20

(п. 3.1.2.1.7 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

Примечание.

Пункт 3.1.2.1.7 не применяется к стробоскопическим осциллографам эквивалентного времени;

(примечание введено Указом Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

3.1.2.2.

Анализаторы сигналов:

(в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

3.1.2.2.1.

Анализаторы сигналов, имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 40 МГц в любой точке частотного диапазона выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц;

9030 84 000 9;

9030 89 300 0

(в ред. Указов Президента РФ от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

Анализаторы сигналов, имеющие отображаемый на дисплее средний уровень шума (ОСУШ) меньше (лучше) -150 дБм/Гц в любой точке частотного диапазона выше 43,5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;

9030 84 000 9;

9030 89 300 0

(п. 3.1.2.2.2 в ред. Указа Президента РФ от 07.04.2017 N 159)

3.1.2.2.3.

Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 90 ГГц;

9030 84 000 9;

9030 89 300 0

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159)

3.1.2.2.4.

Анализаторы сигналов, имеющие все следующие характеристики:

9030 20 300 9;

9030 32 000 9;

9030 39 000 9;

9030 84 000 9;

9030 89 300 0

а) полосу частот в реальном масштабе времени, превышающую 170 МГц; и

б) имеющие любую из следующих характеристик:

стопроцентную вероятность обнаружения сигналов длительностью 15 мкс или менее со снижением менее 3 дБ от полной амплитуды вследствие промежутков или эффектов окон; или

функцию механизма запуска по частотной маске (триггера маски частоты) со стопроцентной вероятностью захвата сигналов длительностью 15 мкс или менее

(в ред. Указов Президента РФ от 21.07.2014 N 519, от 07.04.2017 N 159, от 13.12.2018 N 714)

1. Полоса частот в реальном масштабе времени (для динамических анализаторов сигналов) - наиболее широкий диапазон частот сигнала, который анализатор может выдать на отображающее или запоминающее устройство без нарушения непрерывности анализа входной информации. Для многоканальных анализаторов при оценке полосы частот в реальном масштабе времени должна использоваться конфигурация канала с наибольшим значением данного параметра.

2. Вероятность обнаружения, указанная в подпункте "б" пункта 3.1.2.2.4, также может называться вероятностью перехвата или захвата сигнала.

3. Для целей подпункта "б" пункта 3.1.2.2.4 длительность сигнала, необходимая для стопроцентной вероятности его обнаружения, является эквивалентом минимальной длительности сигнала, необходимой для заданного уровня погрешности измерения.

4. Механизм запуска по частотной маске для анализаторов сигналов - механизм, при применении которого функция запуска способна выбрать частотный диапазон для запуска анализатора сигнала в пределах полосы пропускания, игнорируя при этом другие сигналы, которые могут также присутствовать в пределах этой полосы пропускания. Механизм запуска по частотной маске может содержать более одного независимого набора ограничений

(технические примечания в ред. Указа Президента РФ от 13.12.2018 N 714)

Примечание.

Пункт 3.1.2.2.4 не применяется к анализаторам сигналов, использующим только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры);

(в ред. Указа Президента РФ от 21.07.2014 N 519)

Исключен. - Указ Президента РФ от 13.12.2018 N 714

3.1.2.3.

Генераторы сигналов, имеющие любую из следующих характеристик: